基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法技术

本申请提供一种基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成若干第二沟槽。本申请所述的基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，在形成所述第一沟槽后，虚拟填充所述第一沟槽，然而再形成所述第二沟槽，避开禁止在同一膜层连续进行两次相同的工艺的设计规则，在光阻层中形成包括第一沟槽和第二沟槽的光栅结构，用于进行DBO测量。进行DBO测量。进行DBO测量。

【技术实现步骤摘要】
基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法。

技术介绍

[0002]传统的套刻(overlay)是使用基于成像和图像识别的套刻测量技术(IBO，image based overlay)来进行套准量测的。随着光刻图形CD尺寸进入28nm及以下工艺节点，由于成像分辨率极限的限制，传统的IBO测量技术已逐渐不能满足新的工艺节点对套刻测量的要求，基于衍射的套刻测量技术(DBO，diffraction based overlay)正逐步成为套刻测量的一种重要的补充手段。
[0003]DBO测量技术起源于利用散射和衍射进行光学测量的方法，通过直接测量套刻标记的衍射光来确定套刻误差，测量速度快，采样面积小，同时基本消除了传统测量方法的许多误差项，如定位误差、焦面误差、像差因素和机械振动等。
[0004]DBO主要分为两大类，一类称为基于模型的DBO技术，另一类称为基于经验的DBO技术，该类技术通过对套刻标记的CD、侧壁角(SWA)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成若干第二沟槽，所述剩余光阻层被分为第一光阻层和第二光阻层。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽与所述第一沟槽的宽度不同。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二光阻层与所述第一光阻层的宽度不同。4.基于衍射的LLE套刻测量方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成拥有偏移量d的若干第二沟槽；使用一束光照射所述衬底形成有第一沟槽和第二沟槽的一面；获取射向一侧的衍射光的光强并记为I
L
，获取射向另一侧的衍射光的光强并记为I
R
；根据所述偏移值d以及所述光强I
L
和I
R
获取套刻准确度OV。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海，杨晓松，吴怡旻，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：