一种晶圆清洗探伤方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆清洗探伤方法，使用具有间隔设置的第一输送辊和清洗辊，对晶圆进行边传输边进行上下两面的喷水清洗处理，提高晶圆清洗效果和质量，提高清洗自动化程度，利用烘干组件实现干燥，最后对晶圆进行超声波探伤以判断晶圆有没有损伤。伤以判断晶圆有没有损伤。伤以判断晶圆有没有损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗探伤方法


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗设备
，具体为一种晶圆清洗探伤方法。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
[0003]现有的晶圆清洗设备在使用时，只能对晶圆进行简单的清洗，不能完全去除晶圆上的污渍，从而影响了晶圆的后续加工处理，并且现有的晶圆清洗设备在清洗后又不能对晶圆其进行检测，当清洗辊对晶圆清洗力度过大时，由于工作人员又不能发现晶圆清洗后内部是否发生细微的断裂损坏，如果按照前面工序继续清洗，很容易造成大量晶圆损坏。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种晶圆清洗探伤方法，解决了可对晶圆进行反复的清理，从而能够提高晶圆的清洗质量，并且又能对清洗后的晶圆进行探伤处理，以便于工作人员及时的调整或更换清洗辊，提高了晶圆清洗质量和效率的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0008]一种晶圆清洗探伤方法，包括以下步骤：
[0009]S1：将待清洗的晶圆放置到输送带上；
[0010]S2：使晶圆经过带有清洗辊的输送带，所述输送带具有间隔设置的第一输送辊和清洗辊，所述第一输送辊和清洗辊成高度方向上成对设置，晶圆经过成对设置的所述第一输送辊或清洗辊之间，所述清洗辊上方和下方设置有喷水组件用于分别对晶圆的两面进行喷洗；
[0011]S3：晶圆喷洗完成后进入第二输送辊处，通过设置于第二输送辊上方和下方的烘干组件对晶圆进行干燥；
[0012]S4：对晶圆进行超声波探伤。
[0013]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，所述清洗箱顶部表面两侧通过防护罩与顶盖底部表面两侧相连。
[0014]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，所述第一输送辊和清洗辊形成的传输面与水平面形成10
‑
20
°
夹角。
[0015]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，所述喷水组件包括U型架，所述U型架设有多组，并且多组U型架顶部表面两侧均插接有雾化喷头，同时雾化喷头朝向所述清洗辊，所述U型架上的雾化喷头输入端安装有第一分流管，并且每组第一分流管输入端通过第二分流管与导管相连。
[0016]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，每对第一输送辊和清洗辊中，均由一个第一输送辊和一个清洗辊组成。
[0017]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，S2步骤中，晶圆经过带有清洗辊的输送带时根据清洗时间的设置使晶圆往复经过清洗辊处。
[0018]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，
[0019]所述第一输送辊和第二输送辊之间设置有隔板。
[0020]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，具有的第一输送辊和清洗辊的输送带设置有多段，每段均设置在一独立的腔室内，每个腔室的喷水组件喷出不同的清洗液，所述第二输送辊前方的具有的第一输送辊和清洗辊的输送带处的喷水组件喷出清水。
[0021]优选地，本专利技术的一种晶圆清洗探伤方法，每次对晶圆清洗完毕后，均通过喷水组件对清洗辊进行清洗。
[0022](三)有益效果
[0023]本专利技术具有以下有益效果：
[0024]本申请的晶圆清洗探伤方法，使用具有间隔设置的第一输送辊和清洗辊，对晶圆进行边传输边进行上下两面的喷水清洗处理，提高晶圆清洗效果和质量，提高清洗自动化程度，利用烘干组件实现干燥，最后对晶圆进行超声波探伤以判断晶圆有没有损伤。
附图说明
[0025]图1为本专利技术整体结构示意图；
[0026]图2为本专利技术侧面结构示意图；
[0027]图3为本专利技术剖面结构示意图；
[0028]图4为本专利技术清洗箱内部结构示意图；
[0029]图5为本专利技术清洗箱内部侧面结构示意图；
[0030]图6为本专利技术顶盖内部结构示意图；
[0031]图7为本专利技术喷水组件结构示意图；
[0032]图8为本专利技术喷水组件底部结构示意图；
[0033]图9为本专利技术烘干组件结构示意图。
[0034]图中，1、清洗箱；2、顶盖；3、托板；4、电动推杆；5、防护罩；6、隔板；7、第一输送辊；8、第一从动同步轮；9、第一伺服电机；10、第一同步带；11、喷水组件；1101、U型架；1102、雾化喷头；1103、第一分流管；1104、第二分流管；1105、导管；12、清洗辊；13、第二从动同步轮；14、第二伺服电机；15、第二同步带；16、第二输送辊；17、第三从动同步轮；18、第三伺服电机；19、第三同步带；20、支架；21、探伤探头；22、超声波探伤仪；23、固定板；24、电控箱；25、烘干组件；2501、出风罩；2502、导流格栅板；2503、进风管；2504、支柱；26、排风孔；27、距离传感器。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0037]实施例1
[0038]请参阅图1
‑
图9，本专利技术实施例提供一种技术方案：一种具有探伤功能的晶圆清洗设备，包括清洗箱1，所述清洗箱1顶部设有顶盖2，并且清洗箱1两侧壁顶部和顶盖2两侧壁底部均焊接有托板3，同时两组托板3通过电动推杆4相连，通过清洗箱1，可经托板3和电动推杆4对顶盖2限位安装，并且电动推杆4，又能灵活的调节顶盖2与清洗箱1之间的距离，进而能够使得设备能够对不同厚度的晶圆进行清洗处理；所述清洗箱1和顶盖2内腔中部均安装有隔板6，通过隔板6，可将清洗箱1和顶盖2分隔成两个工作舱室，从而能够对晶圆进行不同工序的处理；所述隔板6两侧分别安装有多组第一输送辊7和多组第二输送辊16，并且两组第一输送辊7之间设有清洗辊12，通过多组第一输送辊7和多组第二输送辊16相互配合，从而能够对晶圆进行传输，然后清洗辊12，又能对流通的晶圆进行清洗，进而能够保证晶圆清洗效果；所述清洗箱1内腔底部和顶盖2内腔顶部一侧均安装有喷水组件11，通过喷水组件11，可在晶圆位于清洗辊12上时进行喷水处理，进而能够提高晶圆清洗效果和质量；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗探伤方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将待清洗的晶圆放置到输送带上；S2：使晶圆经过带有清洗辊的输送带，所述输送带具有间隔设置的第一输送辊(7)和清洗辊(12)，所述第一输送辊(7)和清洗辊(12)成高度方向上成对设置，晶圆经过成对设置的所述第一输送辊(7)或清洗辊(12)之间，所述清洗辊(12)上方和下方设置有喷水组件(11)用于分别对晶圆的两面进行喷洗；S3：晶圆喷洗完成后进入第二输送辊处，通过设置于第二输送辊上方和下方的烘干组件(25)对晶圆进行干燥；S4：对晶圆进行超声波探伤。2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗探伤方法，其特征在于，清洗过程在一清洗箱(1)内进行，所述清洗箱(1)顶部表面两侧通过防护罩(5)与顶盖(2)底部表面两侧相连。3.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗探伤方法，其特征在于，所述第一输送辊(7)和清洗辊(12)形成的传输面与水平面形成10
‑
20
°
夹角。4.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗探伤方法，其特征在于，所述喷水组件(11)包括U型架(1101)，所述U型架(1101)设有多组，并且多组U型架(1101)顶部表面两侧均插接有雾化喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱诚，李刚，童建，
申请(专利权)人：江苏亚电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：