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本申请提供一种基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成若干第二沟槽。本申请所述的基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻...
该专利属于中芯南方集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯南方集成电路制造有限公司授权不得商用。

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