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本发明提供了一种栅介质层的厚度的监控方法，提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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