一种半导体结构及其制备方法技术

一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底(1)、沟道层(4)、势垒层(5)、栅极结构(6)、源极(7)、漏极(8)，其中所述栅极结构(6)包括p型半导体层(62)、n型半导体层(63)、栅极(65)；提高了栅极(65)对沟道的控制能力；提高半导体器件的阈值电压，避免栅极结构(6)垂直漏电，降低栅极结构(6)侧面漏电；避免沟道退化，提高器件的整体输出特性。整体输出特性。整体输出特性。整体输出特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：