本发明专利技术涉及一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一栅氧化物，一晶栅，一第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一第一类型高掺杂区域以作为基区，一第二类型高掺杂源极区域，一第二类型高掺杂漏极区域，以及一第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种金属氧化物晶体管(Metal Oxide Semiconductor: MOS)，尤其涉及一种横向扩散金属氧化物晶体管(Lateral Diffused MOS, LDMOS)。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品的种类越来越多，电子产品中的集 成电路的集成程度也越来越高。而高压电子元件，如横向扩散金属 氧化物晶体管的应用也越来越广，其可应用在电源，电源管理器， 通讯，汽车及工业控制等等。普通的横向扩散金属氧化物晶体管可 参阅IEEE的"Proceedings of 2004 International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs, Kitakyushu，，上发表的论文"Field-plate Effects on the Breakdown Voltage of an Integrated High-voltage LDMOS Transistor"。目前，静电释放(Electrostatic Discharge, ESD)现象对集成电路 的可靠性构成了极大的威胁。 一般的消费性电子产品要求在人体放 电模式(Human-Body Model, HBM)下能承受的静电释放电压大于 2KV,在机械放电模式(Machine Mode1)下能承受的静电释放电压大 于200V。而普通的横向扩散金属氧化物晶体管无法承受如此大的静 电释放电压，其很容易被人体或机械所带有的静电烧毁。
技术实现思路
下面将以实施例说明 一种横向扩散金属氧化物晶体管，该横向 扩散金属氧化物晶体管具有良好的抗静电能力。一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一 设置在该第 一类型村底上的栅氧化物， 一设置在该栅氧化物上的晶栅， 一 对该第 一 类型衬底进行部分掺杂从而形成的第二类型轻掺杂 区域以作为阱区， 一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形 成的第一类型高掺杂区域以作为基区， 一对该第 一类型高掺杂区域 进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂源极区域， 一对该第二类 型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂漏极区域， 以及一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第 一类型 高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高 掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该第一类型高掺杂衬底电 极区域靠近该第二类型高掺杂源极区域形成，且该第一类型高掺杂 区域及该第二类型轻掺杂区域分别具有一部分直接位于该晶栅之下 以隔开该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域， 该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂 源极区域之下的 一 第 一 掺杂区域，该第 一 掺杂区域为第 一 类型掺杂 区域。相对于现有技术，所述横向扩散金属氧化物晶体管利用设置在 第一类型高掺杂区域与第二类型高掺杂源极区域间的第一掺杂区域 可以调整该横向扩散金属氧化物晶体管在静态放电模式下的电流电 压特征，使其获得良好的电流电压特性，增强了该橫向扩散金属氧 化物晶体管的抗静电能力。附图说明图l是本专利技术第 一 实施例所提供的 一 种横向扩散金属氧化物晶 体管的剖示图。图2是本专利技术第二实施例所提供的 一 种横向扩散金属氧化物晶 体管的剖示图。图3是本专利技术第三实施例所提供的 一 种横向扩散金属氧化物晶 体管的剖示图。图4是本专利技术第四实施例所提供的 一 种橫向扩散金属氧化物晶 体管的剖示图。图5是本专利技术第五实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶 体管的剖示图。具体实施例方式下面结合附图将对本专利技术实施例作进 一 步的详细说明。请参阅图l，本专利技术第一实施例提供的一种橫向扩散金属氧化物晶体管100,其包括一p型衬底110， 一设置在该p型衬底110上的栅氧 化物121, —设置在该栅氧化物121上的晶栅120, —对该p型衬底110 进行部分掺杂从而形成的n-型轻掺杂区域130， 一对该n-型轻掺杂区 域130进行部分掺杂从而形成的p+型高掺杂区域140, —对该p+型高 掺杂区域140进行部分掺杂从而形成的n+型高掺杂源极区域150, — 对该n-型轻掺杂区域130进行部分掺杂从而形成的n+型高掺杂漏极 区域160，以及一对该p+型高4参杂区域140进行部分掺杂从而形成的 p+型高掺杂衬底电极区域170。该p+型高掺杂衬底电极区域170的掺 杂浓度高于该p+型高掺杂区域140,且该p+型高掺杂衬底电极区域 170邻近该n+型高掺杂源极区域150形成。该n+型高掺杂源极区域150 与该n+型高掺杂漏极区域160分别形成在该晶栅120的两侧，且该11+ 型高掺杂源极区域150正对于该n+型高掺杂漏极区域160,两者位于 同 一层。该p+型高掺杂区域140及该n—型轻掺杂区域130分别具有一 部分直接位于该晶栅120之下以隔开该n+型高掺杂源极区域150与该 n+型高掺杂漏极区域160。该n-型轻掺杂区域130作为n型阱(n-well),该p+型高掺杂区域140 作为p型基区(p-Body)。该晶栅120与 一 栅电极(图未示)欧姆接触，通过该栅电极为该晶 栅120提供一栅极电压；该n+型高掺杂源极区域150与一源电极(图未 示)欧姆接触，通过该源电极为该n+型高掺杂源极区域150提供一源 极电压；该n+型高掺杂漏极区域160与 一漏电极(图未示)欧姆接触， 通过该漏电冲及为该n+型高杂漏极区i成160^是供 一 漏极电压；该p+ 型高掺杂衬底电极区域170与 一村底电极(bulk electrode)(图未示)欧姆接触，通过该衬底电极为该p +型高掺杂衬底电极区域170提供一衬 底电压。该p+型高掺杂衬底电极区域170可紧靠该n+型高掺杂源极区域 150,即该p+型高掺杂衬底电极区域170与n+型高掺杂源极区域150之 间无任何空隙，两者相连接，此时，施加在该p+型高掺杂衬底电极 区域170上的衬底电压与施加在该n+型高掺杂源极区域150上的源极 电压一致。该p+型高掺杂衬底电极区域170与n+型高掺杂源极区域 150之间也可以存在 一 定的间隔，此时，施加在该p+型高掺杂衬底电 极区域170上的衬底电压可以与施加在该n+型高掺杂源极区域150上 的源极电压不一致，优选的，该p+型高掺杂衬底电极区域170与该11+ 型高摻杂源极区域150之间具有 一 场氧化绝缘区域(图未示)以隔离 该p+型高掺杂衬底电极区域170与该n+型高掺杂源极区域150。该横向扩散金属氧化物晶体管10 0进 一 步包括 一 对该n —型轻掺 杂区域130进行部分掺杂从而形成的n型掺杂区域180,该n型掺杂区 域180围绕该n+型高掺杂漏极区域160。优选的，该n型掺杂区域180 的掺杂浓度大于该n-型轻掺杂区域130的掺杂浓度且小于该n+型高 掺杂漏极区域160的掺杂浓度。该横向扩散金属氧化物晶体管IOO还进一步包括一第一p型掺杂 区域191，该第一p型掺杂区域191形成在该n+型高掺杂源极区域150 之下。该第一p型掺杂区域191的掺杂浓度高于该p+型高掺杂区域 140。该n+型高掺杂源极区域150与该n+型高掺杂漏极区域160位于同 一层，其可仅利用 一参考图层(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一设置在该第一类型衬底上的栅氧化物，一设置在该栅氧化物上的晶栅，一对该第一类型衬底进行部分掺杂从而形成的第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂区域以作为基区，一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂源极区域，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂漏极区域，以及一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该第一类型高掺杂衬底电极区域靠近该第二类型高掺杂源极区域形成，且该第一类型高掺杂区域及该第二类型轻掺杂区域分别具有一部分直接位于该晶栅之下以隔开该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张智毅，孙兴华，龙赞伦，邱振铭，
申请(专利权)人：天钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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