一种原子层沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了一种原子层沉积装置，更具体地说，提供了一种用来防止 不同的源气互相混合且能提高薄膜的沉积效率的原子层沉积装置。
技术介绍
近来在半导体工程中随着半导体单元的集成度变得越来越高，对微细加 工的要求也变得越来越多。为了形成微细模式且能在一个芯片上高度集成多 个单元，需要开发具有厚度小的薄膜和高电介率的新物质。尤其，在衬底上面的阶梯被形成的时候，确保覆盖表面的阶梯覆盖性(step coverage)和晶片 内均匀性(withm wafer uniformity)是非常关键的。为了满足上述要求，形成 具有原子层单位微细厚度的薄膜的原子层沉积方法(ALD: atomic layer deposition)正在被应用和发展。ALD工艺是一种利用在衬底表面上反应物的表面饱和反应(surface saturated reaction)所发生的化学吸附(chemisorption)禾卩脱附(desorption)而开乡 成单原子层的方法，且ALD工艺也是一种可以控制原子层水平厚度的薄膜沉 积方法。现有ALD过程中阶梯覆盖性和晶片内均匀性可以由多个因素所决定，但 其中与喷头的形状关系更本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层沉积装置，其包括：　能容纳多个衬底而进行沉积过程的处理室；　支持上述衬底的基座；和　喷头；　其中，上述喷头包括　将不同的源气喷射给上述衬底的多个喷射单元；　排出从上述衬底产生的排气的排气单元；和 　将吹扫气体倾斜地喷射到上述衬底的气刀，其中，通过上述气刀喷射的气体，在上述喷射单元喷射的不同的气体之间形成气帘。

【技术特征摘要】
KR 2007-11-28 10-2007-01223581、一种原子层沉积装置，其包括能容纳多个衬底而进行沉积过程的处理室；支持上述衬底的基座；和喷头；其中，上述喷头包括将不同的源气喷射给上述衬底的多个喷射单元；排出从上述衬底产生的排气的排气单元；和将吹扫气体倾斜地喷射到上述衬底的气刀，其中，通过上述气刀喷射的气体，在上述喷射单元喷射的不同的气体之间形成气帘。2、 如权利要求1所述的原子层沉积装置，其中，上述气刀提供净化上述 源气的吹扫气体。3、 如权利要求1所述的原子层沉积装置，其中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：申寅澈，成明恩，田英洙，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]