基底可被重复使用的结构及其处理方法技术

本发明专利技术公开了一种基底可被重复使用的结构及其处理方法。在基底与至少一层外延层之间形成至少一层分离层。使用本发明专利技术的方法，提供一种分离方式使对应的分离层发生反应而分解，以使基底与外延层中的一层分离，从而达到基底可重复使用的目的，因而能降低成本，也避免造成多余的损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，具体地讲，涉 及一种利用分离方式使对应于外延层与基底之间的分离层发生反应而分解以 达到基底重复使用的结构及其处理方法。
技术介绍
公知的半导体晶片制造技术是指在硅晶片上制作各种集成电路的技术，包括黄光、蚀刻、电镀、形成薄膜、化学机械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)和离子注入等技术。例如，黄光光刻技术用于进行图像转印， 电镀技术用于电镀金属，离子干蚀刻用于进行各向异性蚀刻，化学湿蚀刻特 性用在多方向性蚀刻方面，形成金属薄膜和非金属薄膜的成长及涂布等。简而言之，半导体工艺就是利用各种显微图像转印技术并结合各种蚀刻、 薄膜的成长和涂布、电镀等各种物理技术和化学技术，在基底上对金属和非 金属材质进行加工的技术。在半导体工艺完成之后，将制成的集成电路或元 件与基底一起切割下来，以进行另外的组装。近年来利用半导体工艺而发展起来的各种微机电技术，就是利用各种显 微加工技术在工艺基底上制作各种微结构、感测元件、光电元件等各种微机 械及微机电元件的技术，其中，工艺基底的体积占整个元件的体积的大约80% 以上。因此，为了使基底变薄而对工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底可被重复使用的结构，所述结构包括：　基底；　至少一层外延层，在所述基底上结晶成长，在所述外延层上形成有至少一个图案；　至少一层分离层，置于所述基底与所述外延层之间，且提供一种分离方式以使所述分离层发生反应而分解，使 得所述基底与所述外延层分离。

【技术特征摘要】
1、一种基底可被重复使用的结构，所述结构包括基底；至少一层外延层，在所述基底上结晶成长，在所述外延层上形成有至少一个图案；至少一层分离层，置于所述基底与所述外延层之间，且提供一种分离方式以使所述分离层发生反应而分解，使得所述基底与所述外延层分离。2、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离方 式至少包括蚀刻溶剂和反应光线等方法。3、 根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述反应光 线为激光。4、 根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述反应光 线提供所述分离层发生反应而分解所需的能量。5、 根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述蚀刻溶 剂包括酸性溶剂或碱性溶剂等。6、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述基底还 包括至少一层外延层。7、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离层 的材料不同于所述基底的材料和所述外延层的材料，并作为分离界面。8、 根据权利要求5所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述酸性溶 剂至少包含硫酸、盐酸、氢氟酸、氢氰酸、硝酸、醋酸、磷酸或它们的混合 物等。9、 根据权利要求5所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述碱性溶 剂至少包含氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化钡或它们的混合 物等。10、 根据权利要求8所述的基底可被重复使用的结构，其中，盐酸系列 与GalnP发生化学反应。11 、根据权利要求9所述的基底可被重复使用的结构，其中，氨水与GaAs 发生化学反应。12、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述基底至少包括蓝宝石基底、砷化镓基底、碳化硅基底或硅基底等。13、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述图案为集成电路。14、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述外延 层至少包含周期表内第IIA族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族、第VA族 和第VIA族等元素或它们的化合物和混合物。15、 根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离 层至少包含AlxGayInzP、 AlxGayAszPv、...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏住裕，陈宏任，
申请(专利权)人：苏住裕，陈宏任，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]