基底处理装置以及使用该基底处理装置输送基底的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了基底处理装置和输送基底的方法。该基底处理装置包括：具有双层结构的第一处理单元，在该第一处理单元中，沿垂直方向布置有进行涂敷过程的第一处理部和进行显影过程的第二处理部；第一缓冲单元，其提供让已在所述第一处理部中处理过的基底等待的位置；第二缓冲单元，其提供让将要在所述第二处理部中进行处理的基底等待的位置；用于进行曝光过程的第二处理单元；以及交接单元，其使基底在所述第一缓冲单元和所述第二缓冲单元与所述第二处理单元之间输送。该交接单元包括：被设成与所述第一处理单元相邻的框架；和设置在所述框架中的第一基底接收部，其用于接收已在所述第一缓冲单元中接收到的并且将要输送至所述第二处理单元的基底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基底处理装置以及使用该基底处理装置输送基底的方 法，更具体地说，本专利技术涉及具有交接单元的直列式基底处理装置，所 述交接单元在用于进行涂敷过程和显影过程的处理单元与用于进行曝光 过程的曝光单元之间输送基底，本专利技术还涉及使用该基底处理装置输送 基底的方法。
技术介绍
通过在硅晶片上重复进行按顺序堆叠薄膜的过程从而形成预定的电 路图案，由此制造出半导体器件。为了形成并堆叠薄膜，必须重复进行 诸如沉积过程、光刻过程和蚀刻过程等多个单元处理过程。光刻过程是用于在晶片上形成图案的过程。光刻过程包括涂敷过程、 曝光过程、宽边曝光(WEE， wide expose edge)过程和显影过程。显影过 程是利用晶片上的预定图案来蚀刻晶片的最上层，使半导体器件与该预 定图案对应的过程。涂敷过程是利用涂敷机在晶片表面上均匀施加感光性光致抗蚀剂 (PR)的过程。曝光过程是利用步进曝光机(stepper)让光穿过掩模的电路图 案，使形成有光致抗蚀剂的晶片上的电路图案曝光的过程。WEE过程是 使用周边曝光单元让晶片边缘上的多余光致抗蚀剂曝光的过程。显影过 程是使用显影机将通过曝光过程曝光的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底处理装置，其包括：　具有双层结构的第一处理单元，在该第一处理单元中，沿垂直方向布置有用于进行涂敷过程的第一处理部和用于进行显影过程的第二处理部；　第一缓冲单元，其提供让已在所述第一处理部中处理过的基底等待的位置；　 第二缓冲单元，其提供让将要在所述第二处理部中进行处理的基底等待的位置；　用于进行曝光过程的第二处理单元；以及　交接单元，其使基底在所述第一缓冲单元和所述第二缓冲单元与所述第二处理单元之间输送，　其中，所述交接单元包括：　 　框架，其被设成与所述第一处理单元相邻；以及　第一基底接收部，其被设置在所述框架中...

【技术特征摘要】
KR 2007-12-27 10-2007-01387571. 一种基底处理装置，其包括具有双层结构的第一处理单元，在该第一处理单元中，沿垂直方向布置有用于进行涂敷过程的第一处理部和用于进行显影过程的第二处理部；第一缓冲单元，其提供让已在所述第一处理部中处理过的基底等待的位置；第二缓冲单元，其提供让将要在所述第二处理部中进行处理的基底等待的位置；用于进行曝光过程的第二处理单元；以及交接单元，其使基底在所述第一缓冲单元和所述第二缓冲单元与所述第二处理单元之间输送，其中，所述交接单元包括框架，其被设成与所述第一处理单元相邻；以及第一基底接收部，其被设置在所述框架中，用于接收已在所述第一缓冲单元中接收到的并且将要输送至所述第二处理单元的基底。2. 如权利要求l所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中的所述第一基底接收部的第一侧上，而且所述第一缓冲单元位于与所述第一处理部对应的高度上；所述第二缓冲单元被设置在所述框架中的所述第一基底接收部的第二侧上，而且所述第二缓冲单元位于与所述第二处理部对应的高度上。3. 如权利要求l所述的基底处理装置，其中，所述交接单元被设置在所述框架中并且还包括第二基底接收部，所述第二基底接收部用于接收从所述第二处理单元输送过来的且已曝光的基底。4. 如权利要求3所述的基底处理装置，其中，所述第一基底接收部和所述第二基底接收部按照与沿垂直方向布置的所述第一处理部和所述第二处理部相同的顺序布置。5. 如权利要求4所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中，而且所述第一缓冲单元关于所述第一基底接收部被设置在所述第二基底接收部的相反侧上；所述第二缓冲单元被设置在所述框架中，而且所述第二缓冲单元关于所述第二基底接收部被设置在所述第一基底接收部的相反侧上。6. 如权利要求4所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中，而且所述第一缓冲单元关于所述第一基底接收部被设置在所述第二基底接收部的相反侧上；所述第二缓冲单元被设置在所述第一缓冲单元与所述第一基底接收部之间。7. 如权利要求4所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述第一处理部中且与所述交接单元相邻；所述第二缓冲单元被设置在所述框架中，而且所述第二缓冲单元关于所述第二基底接收部被设置在所述第一基底接收部的相反侧上。8. 如权利要求4所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中，而且所述第一缓冲单元关于所述第一基底接收部被设置在所述第二基底接收部的相反侧上；所述第二缓冲单元被设置在所述第二处理部中且与所述交接单元相邻。9. 如权利要求4所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述第一处理部中且与所述交接单元相邻；所述第二缓冲单元被设置在所述第二处理部中且与所述交接单元相邻。10. —种基底处理装置，其包括具有双层结构的第一处理单元，在该第一处理单元中，沿垂直方向布置有用于进行涂敷过程的第一处理部和用于进行显影过程的第二处理部；第一缓冲单元，其提供让已在所述第一处理部中处理过的基底等待的位置；第二缓冲单元，其提供让将要在所述第二处理部中进行处理的基底等待的位置；用于进行曝光过程的第二处理单元；以及交接单元，其使基底在所述第一缓冲单元和所述第二缓冲单元与所述第二处理单元之间输送，其中，所述交接单元包括框架，其被设成与所述第一处理单元相邻；和第二基底接收部，其被设置在所述框架中，并用于接收已曝光的且从所述第二处理单元输送过来的基底。11. 如权利要求IO所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中的所述第二基底接收部的第一侧上，而且所述第一缓冲单元位于与所述第一处理部对应的高度上；所述第二缓冲单元被设置在所述框架中的所述第二基底接收部的第二侧上，而且所述第二缓冲单元位于与所述第二处理部对应的高度上。12. 如权利要求IO所述的基底处理装置，其中，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中的所述第二基底接收部的第一侧上，该第一侧与所述第一处理部所处的高度对应而且是所述第二基底接收部的上部和下部中的一者；第二缓冲单元可以被设置在所述第二处理部中且与所述交接单元相邻。13. —种使用如权利要求1所述的基底处理装置在第一处理单元与第二处理单元之间输送基底的方法，所述方法包括以下步骤将已在所述第一处理部中处理过的基底输送至所述第一缓冲单元；将基底从所述第一缓冲单元输送至所述第一基底接收部；将基底从所述第一基底接收部输送至所述第二处理单元；将已在所述第二处理单元中曝光的基底输送至所述第二缓冲单元；以及将基底从所述第二缓冲单元输送至所述第二处理部。14. 如权利要求13所述的方法，其中，经由所述第一缓冲单元将已在所述第一处理部中处理过的基底输送至所述第一基底接收部，所述第一缓冲单元被设置在所述框架中的所述第一基底接收部的第一侧上，而且所述第一缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：金德植，李俊宰，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]