【技术实现步骤摘要】
量子点增强F-N隧穿非挥发存储器,属于存储器设计
技术介绍
在全球Flash Memory的市场中,NAND结构的Flash Memory占有60%的份额。在FlashMemory的各项性能中,电子注入效率和电压(功耗)是十分重要的指标。NAND结构的存储器单元的编程和擦除都是采用F-N隧穿的方式,结构为浮栅薄氧化层(FLOTOX)结构,这种结构中,电子向浮栅的注入效率远高于NOR结构的CHE注入方式,但是由于F-N隧穿需要相对较高的电场,因此编程和擦除电压也较高。商业化的基于F-N隧穿的存储器编程和擦除的电压高达20V。高电压导致了更为复杂的外围电路,另外,编程和擦除操作过程中隧穿氧化层内的高电场是导致电荷陷阱和界面态的主要原因,影响存储器的可靠性,这些都妨碍了进一步提高Flash Memory的性能和存储密度。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种量子点增强F-N隧穿非挥发存储器。该存储器解决了现有存储器编程和擦除操作过程中隧穿氧化层内电场过高的技术问题,提高了存储器的可靠性。本技术的特征在于,在硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。采用量子点增强F-N隧穿的Flash Memory可以明显地降低电子注入过程中隧穿氧化层中的平均电场,提高电子注入效率。在不减小隧穿氧化层厚度的前提下,降低Flash Memory的编程和擦除电压,提高编程速度。实验证明,本技术利用沟道上方自组织生长的SiGe量子点产生的局部电场增强效应,增大电子注入时的隧穿电流,提高注入效率,降低了工作电压,由于等效隧穿氧化层厚度的增加,也提高了存储器的数据保持时间和可靠性,达到 ...
【技术保护点】
量子点增强F-N隧穿非挥发存储器,含有硅沟道、多晶硅浮栅和控制栅,其特征在于,在所述硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。
【技术特征摘要】
1.量子点增强F-N隧穿非挥发存储器,含有硅沟道、多晶硅浮栅和控制栅,其特征在于,在所述硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。2.如权利1所述的量子点增强F-N隧穿非挥发存储...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓宁,陈培毅,潘立阳,张磊,魏榕山,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。