发光二极管结构的改良制造技术

一种发光二极管结构的改良，具有一刚性壁的模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部和相互接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端等所构成；其特征在于，所述的改良包括：　　　　至少一非直切的几何切割断面，形成在该中央部与接合部之间；而使该模型体至少被区分有第一区域和第二区域，和所述区域形成的相对端面，所共同建立的散热表面积。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种发光二极管的结构设计；特别是指一种可明显提高该发光二极管的散热作用的改良新型。专利技术背景按，发光二极管(LED)是己被广泛的应用在各项电子产品系统方面；从发光效率较弱的指示灯，至高强度的资讯产品及户外看板、交通号志…等照明度灯具。基本上它是用一种操作在顺向偏压的PN界面，当顺向偏压时在P型区注入大量的电洞，在N型区中则注人大量的电子，这些电洞与电子会在空乏区中，各向另一区进行少数载子的注入，于是在与该处的大量载子结合的瞬间，辐射放出相当于能隙能量的光子，而产生发光效果。习知的发光二极管是经由冲压复数等距相联的一适于导电的金属片支架单元；支架表面电镀银层；将半导体晶片固着于支架作为发光二极管的光源；把导线二端分别连接于支架和晶片上，以分别形成阴、阳极接脚；以及将环氧树脂浇注在支架上部，使得形成透光体、和密封晶片、导线等程序制成。就像那些熟习此技艺人所知悉，发光二极管的大部分能量都转化为热，如果不把所述热量消除，则会使晶片过热而损坏。至于这些热量一部分积存在该透光体，一部分通过支架的第一、第二接脚散发。但因透光体是以环氧树脂加工成型，导热率差，因此晶片产生的热大部分积存在透光体中，无法有效散发热量，只能靠上述支架传导散热而存在散热效率较低的问题。一种可改善上述讨论的问题的发光二极管支架系统，是揭示于第90201309号“发光二极管支架”新型专利案中，其支架己经设计在既有的第一、二接脚外又增加一对接脚，使晶片产生的热量能经由四支接脚散发。淮，在实务的使用上，其散热效率是有限的，实质上并非在一个更理想完善的使用情形中。具体而言，在已知的所有传统LED LAMP支架上端均封装有一透明体，且在阴极碗杯的杯底所有面积范围中覆上厚约200μm-100μm左右的粘着胶(又分银胶、白胶、绝缘胶)来接着LED晶片，但也因该两者造成妨碍发光余热传导散热的主因，因为无论大、小功率的LED晶片，在导通点亮中皆因功率不同而生成的各级不同的正比热源，且是否可迅速将该热源传导散热，是影响该发光二极管可产生的发光效果或照明效率的。而在上述的参考资料中，例如第88218394号“发光二极管的支架改良结构”、第90201308号“发光二极管支架”专利案等，是已揭示了增加接脚来提高发光二极管高热量排散问题的重要性概念；但这些参考资料并未揭露发光二极管构造上的特殊改良或设计。如果重行设计考量这发光二极管结构，使其构造不同于习用者，将可改变它的使用型态，而有别于旧法；实质上，也会明显增加它的散热效率；例如，如何在不增加支架的包装体积的条件下，使它的结构设计或空间型态具有较大的散热面积或部分等改良手段。而这些课题在上述的专利案中均未被提示或建议。
技术实现思路
爰是，本技术的主要目的即在于提供一种发光二极管结构的改良，这发光二极管在形成有明显被增加的散热面积的条件下，是具有一个模型体的构形，典型的包括有用以固定晶片的中央部，和相互连接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述中央部的晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端；至少一几何切割断面是彤成在该中央部与接合部之间，这几何切割断面是从所述的模型体一边延续切割至另一相对边终止，而使这模型体至少被依此非直切地区分为第一和第二区域。因此，模型体除了上述的接脚之外，更包含了所述第一、二区域在铅垂面或y参考轴上的相对非直切形端面所构成的更大散热面积，用以共同增进传导晶片工作时产生的热量。根据本技术的发光二极管结构的改良，是包括有一形成在模型体周边一水平参考方向上的裙部；实质上，裙部至少具有一在底边的端面，可用来接触在电路板的薄铜铂层，用以使所述裙部与薄铜铂层可共同提升传导晶片工作时产生的热量。根据本技术的发光二极管结构的改良，该几何切割断面的布置考量，是应使几何切割断面不会分割杯座的完整性，这可让杯座在被配置的分割区域上，具有最大尺寸或面积的配置考量因为相对地，可使杯座被容许固着至少一个以上的晶片的作用，来因应不同电子产品的条件要求。一种发光二极管结构的改良，是具有一刚性壁的模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部和相互接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端等所构成；其改良包括至少一非直切的几何切割断面，是形成在该中央部与接合部之间；而使该模型体至少被区分有第一区域和第二区域，和所述区域形成的相对端面，所共同建立的散热表面积。所述的模型体是一方形体构形。所述的几何切割面是从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。所述的模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面；使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。所述的刚性壁界定有一实心内部。所述的刚性壁界定有一糟室或腔室。所述的模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。所述的模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。所述的槽室或腔室的内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。所述的模型体是一环状或圆形物的构形。所述的几何切割面是从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。所述的模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面；使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。所述的刚性壁界定有一实心内部。所述的刚性壁界定有一糟室或腔室。所述的模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。所述的模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。所述的槽室或腔室的内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。所述的第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。所述的第一、二区域的相对端面可形成峰谷连续配置型的几何形状的轮廓组织。所述的槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。所述的槽室或腔室成圆柱状构形。所述的槽室或腔室成朝外渐扩柱状构形。所述的槽室或腔室成圆锥状构形。应用本技术技术，可使模型体散热表面积总和被尽量的增加；由晶片数量的变更，相较公知技术，在相同体积的条件下，本技术的模型体具有较大的应用范围；所述的模型体的表面、各切割端面和刚性壁界定的内部等部份，可选择性的布置几何形或锯齿状轮廓组织，以增加模型体的散热表面积，使之具有更佳的散热效率。附图说明图1是本技术的外观示意图；其中假想线部份是显示晶片配装位置及封装透光体的情形； 图2是图1的俯视示意图；图3是图1的立体断面示意图；显示模型体的刚性壁是界定一实心内部的型态；图4是图1的正视示意图；图5是本技术在实务上复数个模型体经接脚的一附片联接成一整体型态的实施例示意图；图6是本技术另一实施例示意图；显示了刚性壁界定有一槽室或腔室的态样；图7是本技术再一实施例示意图揭示了刚性壁和裙部形成有几何形状轮廓组织的情形；图8是图7的立体断面剖视示意图；显示了刚性壁界定一实心内部的情形；图9是图7的另一立体断面剖视示意图；揭示了刚性壁界定有一槽室或腔室的态样；图10是本技术另一修正实施例的断面剖视示意图；描绘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构的改良，具有一刚性壁的模型体，所述模型体是包括有一用以固定晶片的杯座的中央部和相互接的包含有至少二接脚单元的接合部，以及一导线连接上述晶片和接合部，而分别被定义为阴、阳极端等所构成；其特征在于，所述的改良包括至少一非直切的几何切割断面，形成在该中央部与接合部之间；而使该模型体至少被区分有第一区域和第二区域，和所述区域形成的相对端面，所共同建立的散热表面积。2.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体是一方形体构形。3.如权利要求1或2所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该几何切割面从该模型体一边，沿杯座轮廓通过，连续延伸至另一相对边终止，而使该第一、二区域分别具有一形成在其铅垂面上的相对端面。4.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体具有一形成在其周边一水平方向上较大面积轮廓的裙部，和裙部底边的一个端面，使所述端面在该模型体配装在一电路板时，可与电路板的薄铜层的一计划区域接触。5.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一实心内部。6.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该刚性壁界定有一糟室或腔室。7.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面形成有峰谷连续配置型态的几何形状的轮廓组织。8.如权利要求1或4所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体的表面和该裙部具有锯齿状轮廓组织。9.如权利要求1或6所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该槽室或腔室之内缘面或内表面具有一几何形状的轮廓组织。10.如权利要求1所述的发光二极管结构的改良，其特征在于，该模型体是一环状或圆形物的构形。11.如权利要求1或10所述的发光二极管结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈聪欣，
申请(专利权)人：陈聪欣，
类型：实用新型
国别省市：