高亮度发光二极管制造技术

技术编号:3227040 阅读:144 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高亮度发光二极管,它包括两个电极支架,发光芯片,金属导线和环氧树脂,其特征在于:所述环氧树脂内嵌设有喇叭状反射镜。(*该技术在2012年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管(LED),尤指一种高亮度发光二极管。为实现上述目的,本技术采取以下设计方案一种高亮度发光二极管,它包括两个电极支架,发光芯片,金属导线和环氧树脂,其特征在于所述环氧树脂内嵌设有喇叭状反射镜。所述反射镜由金属或塑胶或透明晶体或各种高分子材料制成。所述反射镜内层涂布有一反光层。所述反射镜形状为对称于光轴中心轴的几何形状。所述反射镜形状为非对称于光轴中心轴的几何形状。本技术的优点是本技术高亮度发光二极管,它包括两个电极支架,发光芯片,金属导线和环氧树脂,环氧树脂内嵌设有喇叭状反射镜,利用反射镜将从发光芯片产生的光反射至半功率全角位置,这样便可以充分利用LED发光芯片所产生的光际效应,提高发光轴中心之光强度,使光线充分混光而达到半功率全角下混光均匀的效果。反射镜12由金属或塑胶或透明晶体或各种高分子材料制成。反射镜12内层涂布有一反光层15,以使反光效果更佳。反射镜12形状为对称于光轴中心轴的几何形状,即反射镜12夹角θ1=θ2。反射镜12的形状可因应产品性能要求作成为非对称于光轴中心轴的几何形状,即反射镜12夹角θ1≠2。在发光二极管运用愈来愈普及及市场对发光二极管发光强度需求愈来愈高以及对发光半功率全角控制要求越来越严谨之下,本技术高亮度发光二极管可达到芯片成本较低(光轴中心光强度较高),发光半功率全角质量较佳的产品性能,并且可以降低产品成本。

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高亮度发光二极管,它包括两个电极支架,发光芯片,金属导线和环氧树脂,其特征在于所述环氧树脂内嵌设有喇叭状反射镜。2.根据权利要求1所述之高亮度发光二极管,其特征在于所述反射镜由金属或塑胶或透明晶体或各种高分子材料制成。3.根据权利要求1所述之高亮度发...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵叶勤郭晓维蒋增钦王东明
申请(专利权)人:鑫谷光电股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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