硅电容压力传感器制造技术

硅电容压力传感器，包括极板构成的芯体，其特征是中心极板（１）分别和其上、下两块玻璃固定极板（２）、（２′）构成三层的全对称结构，形成两个电容；固定极板（２）、（２′）、玻璃底板（３）中心均有金属层（６）、均有导压孔（７），在孔（７）的内壁上有淀积金属层作为电极层（６）的通路；下固定极板（２′）和底板（３）的孔（７）与置于底座（５）内的导压管（４）相通；硅中心极板（１）和玻璃底板（３）的尺寸大于玻璃固定极板（２）、（２′）；硅中心极板（１）、固定极板（２）和玻璃底板（３）上均有焊点（９），底座（５）上引出烧结引线（１０），用硅铝丝连线（１１）连结压焊点（９）和烧结引线（１０）。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

所属领域本技术涉及传感器制造
，一种硅电容压力传感器。
技术介绍
硅电容压力传感器利用电容原理测量压力，是压力测量仪表的关键部件。与扩散硅压力传感器相比，硅电容压力传感器有其独特的优点，是现代微机电压力传感器的一个重要分支和组成部分，也是对硅压阻式传感器的重要扩充。新一代的硅电容差压传感器从精度和长期稳定型方面都有了很大提高，如精度优于0.1％FS，传感器在几年使用时间里免维护，这些特点都是前一代传感器无法比拟的。理论上，非压阻原理的硅传感器不存在PN结的电隔离问题，在稳定性上优于扩散硅传感器。国内压力变送器市场竞争态势十分激烈，引进的硅差容式压力变送器整机组装技术是在国内将进口散件装配成变送器，尤其是变送器的核心部件——硅电容压力传感器，迟迟不能实现国产化，价格居高不下，使整机在市场竞争中十分被动。为了改变目前不利的竞争态势，争取市场分额，必须降低成本。将传感器核心部件实现国有技术开发生产。通过对富士公司相关产品的测试和解剖，对该产品的结构特点以及加工技术及其路线有了一定的了解。分析结果表明，富士公司的传感器结构封装有可能使用先淀积或溅射低温玻璃然后烧结的技术，也有可能采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅电容压力传感器，包括极板构成的芯体，其特征是中心极板(1)分别和其上、下两块玻璃固定极板(2)、(2｀)构成三层的全对称结构，形成两个电容；固定极板(2)、(2｀)、玻璃底板(3)中心均有金属层(6)、均有导压孔(7)，在孔(7)的内壁上有淀积金属层作为电极层(6)的通路；下固定极板(2｀)和底板(3)的孔(7)与置于底座(5)内的导压管(4)相通；硅中心极板(1)和玻璃底板(3)的尺寸大于玻璃固定极板(2)、(2｀)；硅中心极板(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张治国，李颖，祝永峰，
申请(专利权)人：沈阳仪表科学研究院，
类型：实用新型
国别省市：