半导体过压保护装置制造方法及图纸

技术编号:3225569 阅读:135 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体过压保护装置,涉及半导体过压保护装置的内部结构;本技术包括半导体封装框架及设于其上的半导体过压保护芯片,在半导体框架的底座上设有与底座相互电连接的凸头座,凸头座上电联接有半导体过压保护芯片,保护芯片的正面及半导体框架的底座上分别设有引脚。本技术结构简单,质量稳定可靠。(*该技术在2013年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体过压保护器,尤其是指一种半导体过压保护装置的内部结构。
技术介绍
在通讯领域中,由于电感性和电容性瞬变、静电放电、雷电等原因形成的意外电压浪涌会造成整机系统的性能下降,出现误动作甚至损坏,因此对电压瞬变和浪涌的防护成为提高整机系统可靠性的一个重要组成部分。现有技术中,采用几个电压瞬变和浪涌的保护器件的组合形式,构成多极保护器件的方式得到较广泛的利用,其中,构成半导体保护器件最常用的过压保护装置是由封装框架及设于其上的半导体保护芯片组成,半导体保护芯片与封装框架的联接,是将芯片用导电胶粘接在框架的底座上;此方式存在有由于粘接过程的挤压,导电胶液被压出,出现芯片正面,反面短路现象,成品率低,产品质量不可靠。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构,使得半导体保护器件粘接生产过程中不会出现导电胶短路芯片正面及反面,结构简单,质量稳定可靠的半导体过压保护装置。本技术是这样实现的一种半导体过压保护装置,包括有封装框架及设于其载体上的半导体过压保护芯片,在封装框架的载体上设有与载体相互电连接的凸点座,凸点头座上电联接有半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与封装框架的引脚相连。半导体过压保护装置中设于封装框架底座上的凸点座是在框架载体上冲压而成。也可以是,设于封装框载体上的凸点座与载体是相互粘接或焊接而成。半导体过压保护装置中设于封装框架底座上的凸点座与半导体过压保护芯片之间的连接通过焊接或粘接而成。采用上述结构后,由于过压保护芯片设于导电凸点座上,不是传统的压在整个框架载体上,在用导电胶粘接过程中,不易出现导电胶使芯片正反面短路现象,使得工艺简单,同时芯片的承受电流功率能力增大,由此可靠性提高,生产成本底。以下结合附图和具体的实施方式对本技术作进一步详述。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式一种半导体过压保护装置,包括有封装框架1及设于其上的半导体过压保护芯片2,其特征在于,在封装框架1的底座10上设有相互电连接的凸点3,凸点3上电联接有半导体过压保护芯片2。保护芯片2的正面及框架1的底座10上分别设有引脚20及11。在实际生产过程中,所述设于封装框架载体上的凸点3是在底座10上冲压而成。根据生产工艺,所述设于封装框架载体上的凸点3也可以是与载体相互粘接或焊接而成。半导体过压保护装置中设于封装框架载体上的凸点座3与半导体过压保护芯片2之间的连接通过焊接或粘接而成。本结构的过压保护芯片2与凸点座3的连接为固定连接,可以有多种方式,较好的方式为焊接。为了增加过压保护芯片2与凸点座3导电性,过压保护芯片2与凸点座3的焊接可以采用导电性好的金属焊接,如银、铜等。凸点座3的形状可以有多种形状,如为半球形、柱形等。半导体过压保护装置可以由采用本技术制作的一个器件构成,也可以多个串联、并联、串并联集成或组装而成各种电路,半导体过压保护装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体过压保护装置,包括有半导体封装框架及设于其上的半导体过压保护芯片,其特征在于,在半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座,在凸点座上连接半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。

【技术特征摘要】
1.一种半导体过压保护装置,包括有半导体封装框架及设于其上的半导体过压保护芯片,其特征在于,在半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座,在凸点座上连接半导体过压保护芯片,保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。2.根据权利要求1所述的半导体过压保护装置,其特征在于,所述设于半导体框架载体...

【专利技术属性】
技术研发人员:乔长华
申请(专利权)人:深圳市新达微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]

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