发光二极管芯片的封装结构制造技术

一种发光二极管芯片的封装结构，包括一基材单元、一发光单元、一胶体单元。该基材单元的基材本体分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹；该发光单元具有复数个设置于该基材本体的发光二极管芯片，其中每一个发光二极管芯片具有一正极端与一负极端，并且所述的发光二极管芯片的正、负极端分别与该正、负极导电轨迹产生电性连接；该胶体单元，其覆着于该基材单元与该发光单元上；藉此，该发光单元产生的光线而于该胶体单元上形成一连续发光区域。本实用新型专利技术可以克服该发光二极管间的暗光带问题，并且使该发光二极管的封装结构简单化，并且缩短其制程时间。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管芯片的封装结构，其特征在于，包括：　　　　一基材单元，其具有一基材本体、及分别形成于该基材本体的正极导电轨迹与负极导电轨迹；　　　　一发光单元，其具有复数个设置于该基材本体上的发光二极管芯片，其中每一个发光二极管芯片具有一正极端与一负极端，并且所述的发光二极管芯片的正、负极端分别与该正、负极导电轨迹产生电性连接；以及　　　　一胶体单元，其覆着于该基材单元与该发光单元上，该发光单元产生的光线通过该胶体单元的导引而于该胶体单元上形成一连续的发光区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，庄峰辉，吴文逵，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]