为非平面型半导体器件形成顶部接触制造技术

通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区，来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上，并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度，使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得足以使那个位置上提供一个横向凹陷的空气—焊料界面。这可防止焊料蔓延到介质表面，避免管芯边缘短路。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电子器件，更具体地说涉及为半导体或者其它电子芯片提供引线的装置和方法的改进。这里所说的器件一词是指所有采用这里所述的连接装置和引线的各种电子器件和集成电路，而不局限于以半导体为基底的器件。在电子领域，特别是在半导体器件和电路领域，通常为主要进行信号处理的器件提供重量轻的引线，而为传输大电流的器件提供重引线。细引线的线焊接和金属箔片的接头片焊接为信号处理器件通常采用的典型技术。这种引线或箔片一般只传输微安或毫安级电流，其典型厚度只有一个密耳或几个密耳，它们经常直接焊接到器件的焊接区上。对于传输较大电流的器件，例如，功率二极管和晶体管或集成电路，需要传输几安培到十几安培或几百安培的电流，所以焊到这种器件上的引线必须更坚固，通常采用厚度为几十到几百密耳粗的金属引线。经常借助于低温焊接(soledring)将这些引线焊到器件的焊接区域上。当待连接的器件具有不规则的表面时，焊接这样的粗引线时要避免产生使成品率和可靠性下降的失效状态就变得更加困难了。例如，当采用掩膜和/或钝化介质制造功率半导体管芯时，其焊接区可能被外表面高于焊接区表面的凸起的介质部分地围绕。当将现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体管芯，其中，半导体管芯的第二表面上具有比管芯第二表面高的焊接区，其中，焊接区与介质的一部分横向相邻，介质的上表面比半导体管芯的第二表面高并且高于焊接区的高度，其特征在于还包括：第一 引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和与第一部分相连的安装半导体管芯第一表面的第二部分；第二引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和在焊接区上与半导体管芯的第二表面进行电连接的第二焊接部分；其中，第二引线装置的焊接部分至少 在一个方向上是向焊接区凸同弯曲的，以使得在把焊接部分连接到焊接区上时，焊接部分与焊接区之间的距离在水平方向上...

【技术特征摘要】
US 1988-9-9 243,3631.一种半导体器件，包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体管芯，其中，半导体管芯的第二表面上具有比管芯第二表面高的焊接区，其中，焊接区与介质的一部分横向相邻，介质的上表面比半导体管芯的第二表面高并且高于焊接区的高度，其特征在于还包括第一引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和与第一部分相连的安装半导体管芯第一表面的第二部分；第二引线装置，具有允许外部与器件接触的第一部分和在焊接区上与半导体管芯的第二表面进行电连接的第二焊接部分；其中，第二引线装置的焊接部分至少在一个方向上是向焊接区凸向弯曲的，以使得在把焊接部分连接到焊接区上时，焊接部分与焊接区之间的距离在水平方向上从焊接部分最靠近焊接区的那部分到横向邻近的介质处增加。2.按照权利要求1的器件，其中，所述焊接部分与焊接区之间的距离是单调增加的。3.按照权利要求1的器件，其中，焊接部分至少在两个方向上凸起弯曲。4.一种半导体器件，包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体管芯，第一表面基本上为平的，在第二表面上至少有一个电焊接区，焊接区至少有部分被比它高的凸起的介质所围绕，在第二表面上还有从焊接区横向向外延伸的一个上表面;其特征在于还包括具有其外部部分与器件接触，其内部部分分别与半导体管芯的第一、第二表面相连接的第一和第二安装装置，其中，在第二安装装置的内部部分有一个在一个方向上朝着至少一个焊接区部分凹陷的区域，该区域通过不扩展到介质的上表面上的导电材料与之进行电连接。5.按照权利要求4的器件，其中，第二安装装置的内部部分上的部分凹陷区域至少在一个方向上是弯曲的。6.一种制造半导体器件的方法，包括提...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁卡尔福斯，欧吉恩L福兹，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]