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通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区,来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上,并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度,使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区,来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上,并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度,使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得...