【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体的掺杂技术，特别涉及一种由荷电束流引发的半导体掺杂技术。现有由荷电束流引发的半导体掺杂技术，如热阴极电子束掺杂技术(“半导体学报”第5卷第1期1984年1月 p.103-107)，它已成为一项形成高杂质陡度、浅P-n结的有效掺杂工艺。然而，热阴极电子束掺杂技术须在高真空与高电压条件下进行，需有进行热发射的电子枪作阴极，还需有控制电子束偏转的扫描装置，所使用的工艺设备结构复杂、操作不便、成本昂贵，而在掺杂浓度与深度的均匀控制等方面，它却仍然存在一些不足之处。为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术利用在稀薄气体的电场中因辉光放电产生的荷电束流引发半导体掺杂，即在不足一个大气压的稀薄气体中设置两个电极，将表面附着杂质源的半导体置于其中的一个电极上，当在两个电极间施加电压直至出现辉光放电时，就有荷电束流在两极之间流过，从而借助这样的荷电束流引发半导体表面附着的杂质掺入体内。通过调节两极间的电压、电流与时间可以控制掺入杂质的浓度与深度。这样的半导体掺杂技术无须在高真空的条件下进行，施加的电压也不太高，设备简单，操作方便，成本低廉，而且在较大面...
【技术保护点】
一种半导体的掺杂技术，其特征在于，在不足一个大气压的稀薄气体中设置两个电极，将表面附着杂质源的半导体置于其中的一个电极上，在两个电极之间施加电压使之产生辉光放电，通过调节辉光放电的电压、电流与时间实现对掺入半导体内杂质浓度与深度的控制。
【技术特征摘要】
1.一种半导体的掺杂技术，其特征在于，在不足一个大气压的稀薄气体中设置两个电极，将表面附着杂质源的半导体置于其中的一个电极上，在两个电极之间施加电压使之产生辉光放电，通过调节辉光放电的电压、电流与时间实现对掺入半导体内杂质浓度与深度的控制。2.按照权利要求1所述半导体的掺杂技术，其特征在于，所述不足一个大气压的稀薄气体是气体压力在2×10-1乇至1×10-2乇之间的氦气。3.按照权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秀琼，王培大，马祥彬，孙惠玲，王纯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子中心，中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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