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本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。该技术设备简单，操作方便，成本低廉。...
该专利属于中国科学院微电子中心;中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子中心;中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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