一种开管铝镓扩散工艺制造技术

一种开管铝镓扩散工艺。本发明专利技术是属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种扩散工艺。该工艺是由在硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散同步进行为特征的。整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气（或惰性气体）保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成一次Ｐ型扩散的。该工艺简单灵活，操作容易，稳定可靠，扩散杂质分布理想，扩散参数可控可调性好。用该工艺生产的器件电参数一致性和动态性好，其合格率可提高１５－２５％，优品率可提高２０％左右，经济效益显著。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高压大电流电力半导体器体生产领域中的一种一次P型扩散工艺。目前在晶闸管生产时，一次P型扩散普遍采用闭管镓(或铝镓)扩散或硼铝涂层扩散工艺。闭管镓扩散，真空封管难度大，扩散质量受石英管影响，扩散参数不易调整，周期长、成本高;硼铝涂层扩散由于扩散的均匀性和重复性较差，造成产品电参数分散，产品合格率、优品率较低。本专利技术针对已有工艺的不足之处，提供了一种新的开管铝镓扩散工艺。该工艺是将硅片先涂布铝乳胶源扩散，后开管镓扩散，再同时进行铝、镓的再分布，整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气(或惰性气体)保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成的一次P型扩散(铝镓预扩与再分布分两次进行也可)，杂质源为铝乳胶源、氧化镓，反应气体为氢气。本专利技术采取已有工艺之优点，又弥补了其不足，铝扩散是通过二氧化硅乳胶源的作用，达到均匀涂布;同时，该乳胶源经高温后形成的氧化膜又可以保护镓扩散的顺利进行，既保证了不产生合金点，又减少了通常开管扩镓前的一次高温氧化，而且整个扩散过程是在同一扩散炉中，只经一次高温过程即可完成，因此与现行工艺比较有以下优点(1)工艺简单，生产周期本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开管铝镓扩散工艺，将研磨、清洗干净的Ｎ型硅片进行杂质源扩散，本专利技术的特征是将硅片先涂布铝乳胶源扩散，后开管镓扩散，再同时进行铝、镓的再分布，整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气（或惰性气体）保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成的一次Ｐ型扩散（铝镓预扩与再分布分两次进行也可），杂质源为铝乳胶源、氧化镓，反应气体为氢气。

【技术特征摘要】
1.一种开管铝镓扩散工艺，将研磨、清洗干净的N型硅片进行杂质源扩散，本发明的特征是将硅片先涂布铝乳胶源扩散，后开管镓扩散，再同时进行铝、镓的再分布，整个扩散过程是在二氧化硅乳胶源经高温后形成的氧化膜及氮气(或惰性气体)保护下，于同一扩散炉内经一次高温连续完成的一次P型扩散(铝镓预扩与再分布分两次进行也可)，杂质源为铝乳胶源、氧化镓，反应气体为氢气。2.根据权利要求1所说的一种开管铝镓扩散工艺，其特征在于，所说的铝扩散是将配好的铝乳胶源均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：林玉松，刘秀喜，高大江，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]