【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件或其部件的制造或处理技术，特别是在半导体器件上形成由氮化物组成的无机绝缘层的方法。目前国内较普遍采用硝酸、氢氟酸混合液的气相钝化、SiO2溅射、甲苯-三氯甲基硅烷钝化及有机硅漆或硅橡胶的涂敷等方法来保护半导体器件的台面，以达到不同半导体器件的常温电特性及热特性的要求。然而，这些工艺尽管很成熟，但器件的稳定性、可靠性还嫌不足，特别是对高温(90℃以上)下使用的器件来说，它的高温性能差的缺点更为明显，处理后的器件在高温下的成品合格率很低，不能满足使用要求。国外采用的玻璃钝化工艺，需要引进复杂的加工设备，费用昂贵，一般工厂都无法实现。本专利技术的目的是提供一种简便易行，不需添置特殊设备的半导体台面器件的钝化工艺，且钝化后的器件具有好的高温性能，能满足在90℃以上环境温度下工作。一种供汽车发电机调节器配套用的达林顿功率晶体管，由于它在汽车发动机旁工作，其工作环境温度要达到90℃以上，远高于一般半导体器件的工作环境温度(40℃左右)。采用上述的钝化工艺，150℃高温性能测试，合格率极低，只有20%左右。经过研究和试验，我们总结出了染色膜-Si3N4-有机硅漆多层保护的钝化工艺，使达林顿功率晶体管高温性能明显改善，测试温度由原来的150℃上升到目前的175℃，成品合格率也有了大幅度的提高，可达85%。具体的钝化工艺如下1.在器件台面腐蚀之前，用HF∶HNo3∶HAc∶H2O＝1∶(4～8)∶1∶(5～9)配好钝化液，摇均匀后放在玻璃或塑料容器内，也可以是干净的塑料勺内，再把容器或塑料勺放在水溶锅或者简易的盛水塑料盒里，保证钝化液温度在15...
【技术保护点】
一种半导体台面器件钝化工艺，它是在半导体器件的台面表面生长一层由氮化物组成的钝化膜，其特征是台面表面形成钝化膜为染色膜－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］－有机硅漆的多层保护层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体台面器件钝化工艺，它是在半导体器件的台面表面生长一层由氮化物组成的钝化膜，其特征是台面表面形成钝化膜为染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。2.根据权利要求1所说的半导体台面器件钝化工艺，其特征是操作工艺为(1)先用HF∶HNo3∶HAc∶H2O＝1∶(4～8)∶1∶(5～9)的配比配好钝化液，将其温度保持在15～25℃之间，待用;(2)将腐蚀好的台面器件用离子水冲洗干净后，立即放...
【专利技术属性】
技术研发人员：周春英，吕亦梅，汪秀娟，
申请(专利权)人：上海汽车电器总厂，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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