半导体器件的制造方法技术

为可获得具有高结晶度的结晶硅膜，一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜１３。滴加有浓度为１０至２００ｐｐｍ（需要调节）的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间，然后用旋涂机甩干。在５５０℃下经４小时使膜晶化。然后，用氟酸处理，除去局部镍化合物。而且，用激光辐照，获得结晶硅膜。在５５０℃下热处理４小时，获得具有低金属元素浓度和小缺陷密度的结晶硅膜。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用结晶半导体的。使用薄膜半导体的薄膜晶体管(TFT)是已知的。这些TFT是用在衬底上的半导体薄膜构成的。这些TFT用于各种集成电路中。实际上，在电光器件中它们以转换元件著称，并特别以设置在有源阵列液晶显示(LCD)器件中的每个像素中的转换元件，和外围电路部分中构成的驱动元件，而著称。TFT中用的半导体薄膜，通常可用非晶硅薄膜。然而，这种硅膜的缺点是电特性低。为改善TFT的特性，可以采用结晶硅薄膜。结晶硅膜称为多结晶硅，多晶硅，细结晶硅等。为获得这种结晶硅膜，可首先形成非晶硅膜，随后对其加热，使其晶化。然而，加热硅膜使其结晶所存在的问题是，需要600℃以上的加热温度，20小时以上的加热时间，而且很难使用玻璃衬底。例如康宁7059玻璃是变形点为593℃的玻璃。考虑到衬底的最大化，在600℃下加热硅薄是有问题的。换言之，当常用的康宁7059玻璃在600℃以上加热20小时以上时，衬底的收缩和挠曲变得非常明显。为解决上述问题，要求在可能的最低温度下加热。另一方面，热处理时间要求尽可能缩短，以提高生产率。当用加热使非晶硅膜晶化时，存在全部硅膜被晶化的问题，它阻止了衬底的局部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 给非晶硅膜中引入金属元素； 加热非晶硅膜，以提供结晶硅膜； 除去金属元素；和 用激光或强光辐照结晶硅膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1995-4-10 109985/95;JP 1994-7-1 173571/941.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤给非晶硅膜中引入金属元素；加热非晶硅膜，以提供结晶硅膜；除去金属元素；和用激光或强光辐照结晶硅膜。2.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤给非晶硅膜引入金属元素；加热非晶硅膜，以提供结晶硅膜；除去金属元素；和加热结晶硅膜。3.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤给非晶硅膜引入金属元素；加热非晶硅膜，以提供结晶硅膜；除去金属元素；用激光或强光辐照结晶硅膜；和加热用激光或强光辐照过的结晶硅膜。4.按权利要求1的方法，其特征是，金属元素包括从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、 Pd、Os、Ir、Pt、Cu、 Ag和Au中选出的至少一种。5.按权利要求2的方法，其特征是，金属元素包括从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Ag和Au中选出的至少一种。6.按权利要求3的方法，其特征是，金属元素包括以Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Ag和Au中选出的至少一种。7.按权利要求1的方法，其特征是，除去金属元素的步骤包括用含氟酸的刻蚀剂刻蚀结晶硅膜的步骤。8.按权利要求2的方法，其特征是，除去金属元素的步骤包括用含氟酸的刻蚀剂刻蚀结晶硅膜的步骤。9.按权利要求3的方法，其特征是，除去金属元素的步骤包括用含氟酸的刻蚀剂刻蚀结晶硅膜的步骤。10.按权利要求7的方法，其特征是，从结晶硅膜中金属元素浓度高的部分除去金属元素。11.按权利要求8的方法，其特征是，从结晶硅膜中金属元素浓度高的部分除去金属元素。12.按权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：大谷久，福永健司，宫永昭治，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]