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为可获得具有高结晶度的结晶硅膜，一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜１３。滴加有浓度为１０至２００ｐｐｍ（需要调节）的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间，然后用旋涂机甩干。在５５０℃下经４小时使膜...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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