可关断晶闸管制造技术

本发明专利技术提出一种ＧＴＯ，此种ＧＴＯ从阳极一侧主平面（２）起包括一个阳极发射区（６）、一个抑止层（１１）、一个ｎ－基区（７）、一个Ｐ－基区（８）和一个阴极发射区（９）。阳极发射区（６）制成透明发射区并且具有阳极短路区（１０）。借助抑止层、透明阳极发射区和阳极短路区的组合得到一种ＧＴＯ，它可以在较高的开关频率下工作，其基片厚度可以减小而其开关损耗并不增加。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体领域。本专利技术以可关断晶闸管(CateTurn Off Thyristor GTO门控可关断晶闸管)为基础。由大量公开文献人们已熟悉这种类型的GTO。这里涉及一种典型的GTO，例如在欧洲专利文献EP-B1-0159797中所述的那种GTO。在阳极一侧和阴极一侧主平面之间这种可关断晶闸管从阳极开始包括一个P+掺杂的阳极发射区、一个n-基区、一个P-基区和一个n+掺杂的阴极区。由阴极区的接触区引出阴极，由P-基区的接触区引出控制板，用此电极启动和关断此器件。为了改进GTO的电学特性，可以在阳极发射区设置阳极短路区。例如在欧洲专利文献EP-A1-0327901中叙述了这种技术措施。当今这些GTO在大功率领域是新型变换器驱动装置的主要组成部件。此种器件及其在电路和控制方面的技术都已达到很高水平。各厂家在这方面都以一种相同的GTO基本方案为基础在最大允许阻断电压下阳极前的耗尽区进入n-基区的准中性非耗尽区约100μm至200μm。这种结构英文专业术语一般表示为“non-punchthrough(非穿通)”方案(NPT-方案，NPT-GTO)。所以实际上阻断电压为本文档来自技高网...

【技术保护点】
可关断晶闸管包括： ａ）在第一个主平面（１）和第二个主平面（２）之间有一定数量不同掺杂的半导体层（６－９）； ｂ）在第二主平面（２）上有阳极电极（３）以及在第一主平面（１）上有阴极电极（４）和控制电极（５）；其中 ｃ）从第二个主平面（２）看，半导体层（６－９）包括一个Ｐ↑［＋］掺杂的阳极发射区（６）、一个ｎ掺杂的ｎ－基区（７）和一个Ｐ掺杂的Ｐ－基区（８），其中阳极发射区（６）与阳极电极（３）电接触，Ｐ－基区（８）与控制电极（５）电接触，并且让ｎ↑［＋］掺杂的阴极发射区（９）进入Ｐ－基区（８）且阴极发射区（９）与阴极电极（４）电接触； 其特征在于： ｄ）阳极发射区（...

【技术特征摘要】
DE 1994-9-2 P4431294.61.可关断晶闸管包括a)在第一个主平面(1)和第二个主平面(2)之间有一定数量不同掺杂的半导体层(6-9)；b)在第二主平面(2)上有阳极电极(3)以及在第一主平面(1)上有阴极电极(4)和控制电极(5)；其中c)从第二个主平面(2)看，半导体层(6-9)包括一个P+掺杂的阳极发射区(6)、一个n掺杂的n-基区(7)和一个P掺杂的P-基区(8)，其中阳极发射区(6)与阳极电极(3)电接触，P-基区(8)与控制电极(5)电接触，并且让n+掺杂的阴极发射区(9)进入P-基区(8)且阴极发射区(9)与阴极电极(4)电接触；其特征在于d)阳极发射区(6)制成透明发射区，e)阳极发射区(6)夹杂着n+掺杂的阳极短路区(10)，并且f)在n-基区(7)与阳极发射区(6)之间设置一个n掺杂的抑止层(11)。2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于抑止层(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：F鲍尔，S艾兴尔，
申请(专利权)人：ABB瑞士控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]