用于大功率半导体模件的液体冷却装置制造方法及图纸

一种大功率半导体模件（１４）用的液体冷却装置（１），每个子模件（８ａ－ｈ）包含至少一个功率半导体装置，该装置安装到电绝缘陶瓷基底上，并且熔焊到陶瓷基底的背面的冷却表面（３）上，液体冷却装置（１）的壳体（２）内具有液体腔（４），冷却表面（３）形成在液体腔的上侧，其中液体冷却装置（１）的壳体（２）由金属陶瓷合成材料铸造而成，其热膨胀系数与陶瓷基底或子模件（８ａ－ｈ）的功率半导体装置的热膨胀系数相一致，以及一个辅助装置（１１ａ－ｈ；１２）。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率电子学领域。具体地说，涉及一种用于大功率半导体模件的液体冷却装置，它包括多个在冷却表面上依次排列的发热的子模，每个子模包含至少一个安置在电绝缘陶瓷基底上的功率半导体装置，它被熔焊到所述陶瓷基底下侧的冷却面上，该液体冷却装置(1)带有一个内含液体腔(4)的壳体(2)，冷却液从所述液体腔中流过，在其上侧形成冷却面(3)。大功率半导体模件是功率电子学的组成部分。一个模件一般包括多个半导体装置，它们可以组合形成一个逻辑功能单元。这种模件(例如半导体开关元件，绝缘栅驱动双极性晶体管(IGBT或二级管模块)目前广泛应用在最高为2500伏和几百安培的功率范围内，主要用于工业驱动设备。这种模件的已有实例可参见EP-A1-0597144或IEEEIGBT推进驱动设备学术讨论会上的报告(1995年4月，伦敦)，作者为T.StocKmeier等的题目为“用于牵引的可靠的1200安培2500伏IGBT模件”的文章。至今，这些模件在牵引设备上的应用还仅限于很有限的程度。原因之一是要求这种模件具有长期的可靠性，而传统的模件尚达不到此要求。目前这种模件的主要故障是由于基底之间的接合层出现疲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于大功率半导体模件（１４）的液体冷却装置（１），包括多个依次配置在一冷却表面（３）上的发热的子模件（８ａ－ｈ），每个子模件（８ａ－ｈ）包含至少一个功率半导体装置，该装置安装到电绝缘陶瓷基底上，并且熔焊到陶瓷基底的底侧的冷却表面（３）上，所述液体冷却装置（１）的壳体（２）内具有液体腔（４），冷却液流过该液体腔，冷却表面（３）形成在液体腔的上侧，其特征在于，液体冷却装置（１）的壳体（２）由金属陶瓷合成材料铸造而成，它至少位于冷却表面（３）的区域内，其热膨胀系数与陶瓷基底或子模件（８ａ－ｈ）的功率半导体装置的热膨胀系数相一致，以及一个辅助装置（１１ａ－ｈ；１２），用于改善冷却面（３）和盛放在液...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T弗雷，A斯吐克，R泽林格尔，
申请(专利权)人：ABB瑞士控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]