【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管的制造方法，更具体地说，涉及一种利用激光切割碳化硅衬底晶片上由碳化硅和氮化镓制成的各个二极管的一种方法。术语“激光”是“受激发射光放大”的缩写。激光在可见光谱或其它电磁光谱部分产生相干单色光束。由于具有单一的波长和频率，激光束具有极高的能量。由于能量高，在很多工业应用中，激光束用于难加工材料的切割或者可能或必须按严格控制的图案切割或划线的物体。由于半导体器件的生产需要在很小的范围内有相对准确的容差和图案，因此在生产过程中已尝试用激光对半导体材料形成图案，切割，或别的方式处理。然而，至今为止这种努力取得成果很小。主要问题有两个第一，激光的能量损坏制造中的器件。第二，激光和被处理的材料尤其是被切割的材料之间的反应会产生副产品，这些副产品留在被制造结构的表面，以后必须除去这些副产品。假如没有可用的或满足要求的除去技术，这些副产品就会使由此形成的器件性能下降或甚至损坏。发光二极管是一种在p-n结上加电势差时发射包括可见光的半导体器件。有多种方法制造发光二极管和一些关联的结构，但这些已是众所周知的，在此所要描述的专利技术适用于其中的大部分或全部...
【技术保护点】
一种由碳化硅制造外部效率增加了的发光二极管的方法，该方法包括： 在碳化硅一部分的一个方向上引导激光束； 其特征在于：激光足以使得它撞击的碳化硅汽化，籍此形成碳化硅部分的切割线；然后，干法刻蚀碳化硅以除去激光切割碳化硅部分时产生的副产品。
【技术特征摘要】
US 1994-10-7 08/319,8031.一种由碳化硅制造外部效率增加了的发光二极管的方法，该方法包括在碳化硅一部分的一个方向上引导激光束；其特征在于激光足以使得它撞击的碳化硅汽化，籍此形成碳化硅部分的切割线；然后，干法刻蚀碳化硅以除去激光切割碳化硅部分时产生的副产品。2.根据权利要求1的方法，其中激光导向步骤包括对具有其能量等于或大于被切割的碳化硅带隙的波长的激光的导向。3.根据权利要求1的方法，其中干法刻蚀碳化硅部分的步骤包括使用含氟气体进行反应离子刻蚀。4.根据权利要求1的方法，其中在碳化硅部分激光导向步骤包括在其上形成有p-n结的至少两个碳化硅外延层的单晶碳化硅衬底的激光的导向。5.根据权利要求1的方法，还包括沿着切割线分离被切割的碳化硅部分从而形成两个碳化硅部分。6.根据权利要求1的方法，其中激光束导向步骤包括在一晶片的一个表面导向激光束，该晶片由多个邻接的碳化硅发光二极管前体组成，激光足以使得它撞击的碳化硅汽化，籍此形成碳化硅部分的切割线；以一定的图案沿着晶片表面导向激光束从而在邻接的发光二极管前体之间形成多个沟槽；以及干法刻蚀晶片以除去激光束切割晶片时产生的副产品。7.根据权利要求6的方法，其中在一晶片的一个表面导向激光束步骤包括在晶片背部衬底表面导向激光束。8.根据权利要求6的方法，其中在一晶片的一个表面导向激光束步骤包括在晶片前部器件表面导向激光束。9.根据权...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。