半导体器件的制造方法技术

在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为４０％的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及强电介质、高介电系数材料和白金的刻蚀方法。人们知道利用了已形成于半导体衬底上边的强电介质膜的自然极化的非易失性存储器。此外，还知道把由高介电系数材料构成的电容器备于半导体衬底上边的DRAM(动态RAM)。在这些种类的存储器的制造过程中，需要对强电介质和高介电系数材料和用作它们的电极的白金(Pt)进行微细加工。人们熟悉用以光刻胶为掩模且应用氯(Cl2)气体的等离子体的干蚀法加工强电介质和高介电系数材料的方法。但是，由于强电介质和高介电系数材料是高熔点且高沸点的金属的复合氧化物，故刻蚀速度慢。即，由于用这种方法得不到足够的选择比，故在现有技术中需要徒劳无益地把光刻胶掩模作厚。因而难于进行微细加工。本专利技术的目的是使得可以容易地实现对强电介质、高介电系数材料和白金的微细加工。为了实现上述目的，本专利技术的做法是先在由强电介质、高介电系数材料和白金之内的至少一种构成的刻蚀对象膜的上边把易于氧化的金属膜形成图形以作为掩模，然后用氯气和氧气的混合气体的等离子体选择性地刻蚀刻蚀对象膜。倘采用这种方法，则作为掩模而形成的金属膜将被等离子体氧化。结果，掩模的刻蚀速度将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征是具备： 在半导体衬底的上边形成由强电介质、高介电系数材料和白金三者中至少一者构成的刻蚀对象膜的工序； 在上述刻蚀对象膜的上边形成由易于氧化的金属构成的已图形化了的掩模的工序； 用具有氧化性和卤化性的气体等离子体对上述刻蚀对象膜选择性地进行刻蚀的工序。

【技术特征摘要】
JP 1996-1-26 011481/961.一种半导体器件的制造方法，其特征是具备在半导体衬底的上边形成由强电介质、高介电系数材料和白金三者中至少一者构成的刻蚀对象膜的工序；在上述刻蚀对象膜的上边形成由易于氧化的金属构成的已图形化了的掩模的工序；用具有氧化性和卤化性的气体等离子体对上述刻蚀对象膜选择性地进行刻蚀的工序。2.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征是形成上述掩模的工序具有形成由钛和钛化物和含钛合金这三者中至少一者构成的膜的工序。3.如权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征是上述对刻蚀对象膜选择性地进行刻蚀的工序具备选定氯与氧的混合气体的等离子体的工序。4.如权利要求3的半导体器件的制造方法，其特征是上述选定氯与氧的混合气体的等离子体的工序具备把该混合气体中的氧气的体积浓度设定为30％以上的工序。5.一种半导体器件的制造方法，其特征是具有在半导体衬底的上边，形成由强电介质和高介电系数材料二者之中至少一者构成的刻蚀对象膜的工序；在上述刻蚀对象膜的上边，形成具有由绝缘物构成的下层掩模和由该下层掩模的上边的易于氧化的金属构成的上层掩模，且已图形化的叠层掩模的工序；用...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川聪，伊东丰二，尾藤阳二，长野能久，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]