半导体器件和半导体器件的制造方法技术

提供即使在用热塑性树脂形成封装的情况下也能确保可靠性的半导体器件。它配有：在由热塑性树脂构成的封装部分３４内部把前端部分３１ａ、３２ａ按各自预定长度配置，同时保持预定间隔的第１引线框架３１和第２引线框架３２；形成在第１和第２引线框架３１、３２的表面上由封装部分３４的外部向内部形成焊产薄膜部分３６ａ、３６ｂ；在第１引线框架３１的前端部分装载的发光半导体元件３３；一端与该发光半导体元件３３的电极Ｅ连接，另一端与第２引线框架３２的前端部分连接键合线３３ａ。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用树脂密封的用于例如物体检测、光通信、光纤通信和光耦合器等光半导体元件等的半导体元件的半导体器件和该半导体器件的制造方法，特别涉及具有高生产率和高可靠性封装的半导体器件和该半导体器件的制造方法。以往，在引线框架和TAB(tape automate bonding)带等的载体构件上安置光半导体元件(例如，发光半导体元件和接收光半导体元件)，随引线框架一起放入金属膜的模腔内，利用流入此模腔内的树脂进行密封形成封装后的半导体器件。为防止裂痕，上述树脂一般采用为热硬化树脂的环氧树脂。图7和图8的(A)、(b)是表示作为这种半导体器件一例的光半导体器件10。光半导体器件10配有第1引线框架11和第2引线框架12、在第1引线框架11上安装的半导体元件13和密封第1引线框架11、第2引线框架12和半导体元件13的封装部分14。而且，图7中的15a、15b表示厚度约为10μm的银薄膜，16a、16b表示厚度约为20μm的焊料薄膜。焊料薄膜16a、16b(16b未图示)与封装部分14有约1mm的距离。光半导体器件10按下面的工艺形成。也就是说，先在第1引线框架11和第2引线框架12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括： 由热塑性树脂组成的封装； 把该封装内部的前端部分分别按各自预定长度并列设置，同时保持预定间隔的第１引线框架和第２引线框架； 形成在所述第１引线框架和第２引线框架的表面上并从所述封装的外部向内部形成的焊料薄膜； 在所述第１引线框架的前端部分装配的半导体元件； 一端与该半导体元件的电极连接，另一端与所述第２引线框架的前端部分连接的键合线。

【技术特征摘要】
JP 1997-8-28 232392/97;JP 1996-10-1 260820/961.一种半导体器件，其特征在于，包括由热塑性树脂组成的封装；把该封装内部的前端部分分别按各自预定长度并列设置，同时保持预定间隔的第1引线框架和第2引线框架；形成在所述第1引线框架和第2引线框架的表面上并从所述封装的外部向内部形成的焊料薄膜；在所述第1引线框架的前端部分装配的半导体元件；一端与该半导体元件的电极连接，另一端与所述第2引线框架的前端部分连接的键合线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述封装的内部至少形成0.5mm以上的所述焊料薄膜。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少按20μm的厚度形成所述焊料薄膜。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第1引线框架的装配所述半导体元件的前端部位周围和所述第2引线框架与所述键合线的另一端连接的前端部位周围...

【专利技术属性】
技术研发人员：安达正树，小川功，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]