【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体衬底上有多个元件和隔离这些元件的隔离区的半导体器件，特别涉及通过在半导体衬底上形成沟槽、并用绝缘膜掩埋沟槽来限定元件隔离区的半导体器件及其制造方法。关于隔离形成在半导体衬底上的半导体器件的元件的方法，已经使用了通过在半导体衬底上形成沟槽、并用绝缘膜掩埋沟槽(此后称为沟槽隔离)来进行元件隔离的方法。该沟槽隔离对于精细高集成半导体器件的元件之间的隔离非常有用。因为高精度形成在半导体衬底上的沟槽决定相应尺寸。但是，通过在制造工艺中进行加热，在栅极下部半导体衬底元件区端部的杂质扩散到元件隔离区的氧化硅膜。结果杂质浓度变低，所以由于低于基本阈值电压的栅电压在其上形成寄生沟道。因此，不可避免地出现OFF状态漏电流的增加。为了解决这一问题，在未审查日本专利公报92549/1984等中提出了一种常规半导体器件及其制造方法。在该方法中，正如下面将要详细说明的，在与元件隔离区的绝缘膜接触的半导体衬底部分掺入与衬底相同导电类型的杂质，使浓度增大。由此防止寄生沟道的形成。但是在上述参考文件中说明的制造半导体器件的常规方法中，会导致两个问题，下面将详细说明。即，...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体元件区；用于隔离所说半导体元件区的元件隔离区；及置于所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界的含氮氧化硅膜。
【技术特征摘要】
JP 1997-5-28 138989/971.一种半导体器件，包括半导体元件区；用于隔离所说半导体元件区的元件隔离区；及置于所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界的含氮氧化硅膜。2.如权利要求1的半导体器件，其特征为所说半导体元件区与所说元件隔离区置于半导体衬底上，所说半导体衬底是硅衬底。3.如权利要求1的半导体器件，其特征为所说元件隔离区主要由氧化硅组成。4.如权利要求1的半导体器件，其特征为在所说含氮氧化硅膜中氮的浓度按氮与氧的比算不大于五分之一。5.如权利要求1的半导体器件，其特征为所说半导体元件包括金属氧化物半导体场效应晶体管。6.一种制备权利要求2的半导体器件的方法，包括步骤形成所说半导体元件区；形成所说元件隔离区；在所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界形成所说含氮氧化硅膜；所说形成元件隔离区的步骤还包括腐蚀所说述半导体衬底以形成沟槽；及用绝缘膜掩埋所说沟槽。7.一种制备半导体器件的方法，包括步骤在半导体衬底上形成半导体元件区；在所说半导体衬底上形成元件隔离区以隔离所说半导体元件区；在所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界形成含氮氧化硅膜；在形成半导体元件区的所说半导体衬底的部分表面上形成掩模材料；使用所说掩模材料腐蚀所说说半导体衬底以形成限定所说元件隔离区的沟槽；在所说沟槽中形成所说含氮氧化硅膜；用绝缘膜掩埋所说沟槽。8.如权利要求7的方法，其特征为形成含氮氧化硅膜的步骤为在含氮化物气氛中的加热步骤。9.如权利要求8的方法，其特征为所说氮化物是N2O。10.如权利要求8的方法，其特征为所说氮化物是HH3。11.如权利要求8的方法，其特征为所说氮化物是NO。12.如权利要求8的方法，其特征为在含氮化物气氛中加热步骤在700℃到1200℃间的加热温度下进行，包括这两个温度。13...
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