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在包括元件区５０和元件隔离区５８的半导体器件中，含氮氧化硅膜６８置于元件区５０与元件隔离区５８之间的边界处。在制备半导体器件的方法中，在提供元件区５０的半导体衬底６０的部分表面上形成掩模材料７２和７４，使用掩模材料７２和７４腐蚀半导体衬底６...
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