能够在一个存储单元中存储多位数据的半导体存储装置制造方法及图纸

一种能够将多位数据存入一个存储单元并能够抑制读出放大器电路占用空间的增加的ＦＲＡＭ。在ＦＲＡＭ中，用一个开关元件使位线对分为第一位线对和第二位线对。第一位线对和第二位线对之间接有耦合电容。结果，在开关元件将第一位线对与第二位线对分开之后，第一位线对的电位被一个读出放大器放大。当读出高位数据时，这个高位数据对第二位线对上的电位产生影响。此后，第二位线对上的另一电位被另一个读出放大器放大以读出低位数据。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及一种能够在一个存储单元中存储多位数据的半导体存储装置。特别涉及一种采用了由铁电材料制成的存储单元的多值存储器。最近，最广泛用于半导体存储装置的是DRAM(动态随机存取存储器)。可以适当地以高集成化方式来制造DRAM。由于这些DRAM是易失性存储器，所以必须连续地向这些DRAM提供电源电压来保存存储在其中的信息。当停止向其提供电源电压时，其中所保存的信息就会马上丢失。这种情况也同样适用于SRAM(静态随机存取存储器)。但是，近来随着便携式信息终端和IC卡的普及，制造一种即使在没有电源电压的时候也能保存信息的非易失性存储器的需求越来越强烈。另一方面，近年来强烈要求半导体设备的制造更加紧凑，并且越来越强调这种紧凑化趋势。其结果是，非易失性存储器逐渐被制得紧凑。为了符合这种要求，必须在一个半导体芯片中保存大量的信息。为了在一个半导体芯片中保存大量的信息，提出了一种所谓的“多值存储器”。这种多值存储器能够将多位数据存入一个存储单元。各种应用了多值存储技术的半导体存储器产品已被投放市场，如DRAM和闪速存储器。但是，如上所述，DRAM具有易失性存储器的缺点，而闪速存储器虽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于包括：由第一位线和第一反相（ＩＮＶＥＲＴＥＤ）位线构成的第一位线对；由第二位线和第二反相位线构成的第二位线对；位于所述第一位线和所述第二位线之间的第一开关元件；位于所述第一反相位线和所述第二反相 位线之间的第二开关元件；字线；一包括一个具有一端脚和另一端脚的铁电电容器和一个开关晶体管的存储单元，所述开关晶体管位于所述第一位线和所述铁电电容器的一个端脚之间以响应所述位线的激活（ＡＣＴＩＶＡＴＥＤ）状态进行连接，所述铁电电容器的 另一个端脚被连接到一镀线（ＰＬＡＴＥ ＬＩＮＥ）上；连接到所述第一位线对上的第一读出放大器，用...

【技术特征摘要】
JP 1997-5-30 142180/971.一种半导体存储装置，其特征在于包括由第一位线和第一反相(INVERTED)位线构成的第一位线对；由第二位线和第二反相位线构成的第二位线对；位于所述第一位线和所述第二位线之间的第一开关元件；位于所述第一反相位线和所述第二反相位线之间的第二开关元件；字线；一包括一个具有一端脚和另一端脚的铁电电容器和一个开关晶体管的存储单元，所述开关晶体管位于所述第一位线和所述铁电电容器的一个端脚之间以响应所述位线的激活(ACTIVATED)状态进行连接，所述铁电电容器的另一个端脚被连接到一镀线(PLATE LINE)上；连接到所述第一位线对上的第一读出放大器，用于放大所述第一位线和所述第一反相位线之间的一个电位差；连接到所述第二位线对上的第二读出放大器，用于放大所述第二位线和所述第二反相位线之间的一个电位差；连接在所述第一位线和所述第二反相位线之间的第一耦合电容器；以及连接在所述第二位线和所述第一反相位线之间的第二耦合电容器。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述铁电电容器基本上由第一到第三种铁电材料构成，所述第一到第三种铁电材料具有彼此不同的电特性。3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于所述第一种铁电材料在第一电压改变其极化状态，所述第二种铁电材料在高于第一电压的第二电压改变其极化状态，所述第三种铁电材料在...

【专利技术属性】
技术研发人员：大月哲也，渡部博士，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]