薄膜晶体管、液晶面板和它们的制造方法技术

特别是提供液晶显示装置用的性能优良的ＬＤＤ型ＴＦＴ。为此，利用化学反应、电镀等使顶部栅极型的ＬＤＤ－ＴＦＴ的栅极电极变成为２个台阶构造，此外，使上部或下部变成为对于别的部分，在源极电极一侧、漏极电极一侧稍微突出出来的形状。然后，在该构造、形状的基础上，以电极为掩模注入杂质。在杂质注入之前，或者除去栅极绝缘膜，或者为防止稀释用氢的侵入形成Ｔｉ膜。在底部栅极一侧ＬＤＤ－ＴＦＴ中，制造方法也大体上相同。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管，特别是涉及在液晶显示装置的象素切换器件或其驱动电路中使用的LDD型薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
近些年来，使用在每一个象素电极内都具备薄膜晶体管(也可以记为‘TFT’，是Thin Film Transistor的缩写)的有源矩阵型显示基板的液晶显示装置或EL显示器等，由于与单纯矩阵型显示装置比较起来可以得到高的画质，故人们一直在积极地进行着研究。此外，着眼于多晶硅(也记为‘p-Si’)TFT的电子迁移率与非晶硅(也记为‘a-Si’)TFT比较，高一个到两个数量级，人们提出并正在研究在同一基板上边形成作为象素切换器件的TFT和驱动电路的所谓的内置驱动电路型的液晶显示装置的方案。然而，在这种情况下，在作为在驱动电路中使用的半导体器件本身的TFT的性质和性能方面，还存在着若干技术上的课题。首先，说起来是来自前者一方的课题，从半导体器件的性能这一方面来说，由于p-SiTFT与a-SiTFT或MOS型场效应晶体管比较起来OFF(截止)电流大，故为了减小该电流，在日本专利杂志特开平5-136417号公报中公开并提出了这样的薄膜晶体管的构造与TFT的源极区域或漏极区域中的至少一方相毗邻地设置低浓度的杂质区域(以下，也记为‘LDD’，是Lightly Doped Drain(轻掺杂漏极)的缩写)。但是，若仅仅是作成为LDD构造的TFT，虽然减低OFF电流是可能的，但是，在使TFT的栅极电极下边的沟道反转的ON(导通)状态时，由于把作为比较高的电阻层的低浓度杂质区域串联地插入到沟道区域内，故ON电流降低。于是，人们提出了抑制ON电流降低的种种的LDD构造的TFT。[SID96 DIGEST pp25Samsung电子(以下，称之为现有例1)、EuroDisplay'96 pp555、ASIA Display'95 pp335Philips(以下，称之为现有例2)]。附图说明图1示出了现有例1的构成。在该图中，10是玻璃基板。150是由p-Si构成的半导体层的源极区域(n+层)。160是该半导体层的漏极区域(n+层)。170是该半导体层的沟道区域。在本图中，作成为这样的构造把子栅极电极41设置为使得把栅极电极4覆盖起来，在其下方的源极一侧和漏极一侧的半导体层上形成LDD区域(低浓度杂质区域n-层)151、161。采用作成为这样的构造的办法，由于在OFF时，子栅极电极41下边的LDD区域的半导体层151、161将变成为载流子已枯竭的高电阻层，故在可以压低OFF电流的反面，在ON时，LDD区域151、161因积累构成载流子的电子而变成为低电阻区域，故不会形成ON电流的减少。另外，实际上在基板上边，在与各个象素或象素部分周边的驱动电路相应的位置上，与象素的规格等对应起来，在纵横方向上涉及若干行若干列地形成该TFT。为此，栅极电极、源极电极和漏极电极中间存在着层间绝缘膜地变成为多层布线构造。但是，由于这些是不言自明的事情，故省略对其情况的特意的图示，此外，在以后的实施例的说明或图中，也把关于这方面的叙述减小到最小限度。其次，图2示出了现有例2。在本图中，10是玻璃基板。150是由p-Si构成的半导体层的源极区域(n+层)。160是该半导体层的漏极区域(n+层)。170是该半导体层的沟道区域。本图是所谓的GOLD(gate-drain overlapped lightly-doped drain，栅-漏重叠式轻掺杂漏极，或栅极重叠)构造的TFT，具体地说，栅极电极4变成为把沟道区域170的两侧的，就是说源极一侧和漏极一侧的LDD区域(n-层)152、162覆盖起来的构造。即便是该构造，也与现有例1一样，在OFF时，由于栅极电极4下边的LDD区域的半导体层152、162将变成为载流子已枯竭的高电阻层，故可以压低OFF电流。另一方面，在ON时，低浓度杂质区域152、162也有时候位于栅极电极下边，因积累构成载流子的电子而变成为低电阻区域，故不会形成ON电流的减少。但是，在实现这样的TFT构造的处理工序中，为了抑制ON电流的减少，在多晶硅半导体层区域内形成的LDD区域，可以用离子掺杂法注入特定的杂质的办法形成，这时，在注入(指的是(进行)‘掺杂’，也叫做‘注入’)特定的杂质(与其它的领域的杂质不同，是为了发挥半导体器件的功能，向多晶硅中积极地注入的物质。就是说，不是‘污染物质’)时，也可以同时注入必须的杂质以外的物质，例如氢原子等。这样一来，特别是当栅极电极的正下边的多晶硅的沟道部分内掺入了氢时，结果就变成为相互进行结合的多晶硅原子间存在着氢，由于可以捕获电子，故TFT的阈值电压提高，可靠性更为显著地降低。为此，在p-Si型TFT中，为了解决电特性课题，与TFT的源极区域或漏极区域中的至少一方的区域相毗邻地设置微小的区域的LDD区域(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏极)，是必不可少地。但是，与此相反，为了形成这些低浓度杂质区域，将产生以下的困难。1)为了实现液晶显示装置等的高精细化，就必须使象素晶体管微细化来提高显示密度。但是，通常在液晶显示装置制造中使用的曝光机的主流是等倍曝光方式，要想使象素晶体管微细化，本身就将产生限制。因此，与象素晶体管的沟道宽度(大体上1到数微米)同等或更小(大体上0.1到2、3微米)的微小区域的低浓度杂质区域，其形成是极其困难的。2)子栅极电极与低浓度杂质区域之间的套刻，由于借助于掩模对准进行，该低浓度杂质区域的尺寸将因掩模对准精度的偏差而发生变动，故不能自对准地(从杂质的注入方向来看，必然精度良好地重叠)形成这些的套刻。而且，为了用短时间进行制造等的工序的管理，掩模对准就必须要有一个容限，所以在象素TFT的微细化方面将产生一个界限。结果，象素TFT的占有面积将增大一个确保上述容限那么大的量。3)象素TFT的占有面积增大，与此同时，源极区域、漏极区域间的寄生电容增大，结果，产生动作波形的延迟，因而液晶显示装置的显示特性降低。4)在形成子栅极电极时，需要有作为与栅极电极不同的电极的金属膜的形成工序、光刻工序、刻蚀工序等等，此外还需要用来进行光刻的光掩模。就是说，在该GOLD构造中，不仅需要2次离子注入，还需要斜向旋转离子注入等的复杂的制造工序。因此，TFT制造工艺是复杂的，因工艺的长期化、造价的上升、成品率的降低引起的液晶显示装置的价格将显著地变成为高价。其次，来自于要在液晶显示装置中使用这种用途的课题，如下所述，虽然有些方面与先前的课题多少有些重复。在液晶显示装置中使用的TFT中，如果栅极线的电阻高，则随着变成为15英寸、20英寸这么大的画面，第1，栅极线的电阻将成为问题。就是说，象素的应答的滞后开始引人注目，而再不能无视栅极信号的延迟。此外还将产生闪烁或画面的显示不均匀等的问题。第2，TFT特性将成为问题。在TFT特性中，迁移率的提高和离子电流的提高、阈值电压的降低和稳定化是重要的。为此，要想提高这些特性，界面的控制是最为重要的。特别是半导体层和栅极绝缘膜的界面所产生的影响大。因此，良好地形成该界面，结果就变成为会使特性改善。使该界面变成为良好的界面的手段之一是进行热处理。借助于进行该热处理可以降低界面缺陷，除去在各层中积累的电荷，因而将改善本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：上述栅极电极，是用由硅化物薄膜和金属薄膜构成的上下２层构成，此外，一方的薄膜形成 为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方多少突出出来的ＬＤＤ形成掩模兼用栅极电极，上述半导体层，由于以上述ＬＤＤ形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定 的栅极电极位置对应区域上形成的ＬＤＤ区域。

【技术特征摘要】
JP 1999-3-10 62767/99;JP 1999-3-24 80051/99;JP 1991．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是上述栅极电极，是用由硅化物薄膜和金属薄膜构成的上下2层构成，此外，一方的薄膜形成为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方多少突出出来的LDD形成掩模兼用栅极电极，上述半导体层，由于以上述LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定的栅极电极位置对应区域上形成的LDD区域。2．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是上述栅极电极，是上下的硅化物薄膜构成，此外，一方的薄膜形成为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方稍微突出出来的LDD形成掩模兼用栅极电极，上述半导体层，由于以上述LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定的栅极电极位置对应区域上形成的LDD区域。3．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是上述栅极电极，是至少具有硅化物薄膜、金属薄膜和硅薄膜的多层构成，此外，作为杂质注入时的掩模，中央部分最厚、两端部分最薄，其中间部分，中间的厚度或从两侧向着中央一侧慢慢地变厚的多台阶LDD形成掩模兼用栅极电极，上述半导体层，由于以上述多台阶LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模从上方注入杂质离子，故具有在上述掩模厚度和杂质离子的注入方向决定的位置形成的多台阶LDD区域。4．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是上述栅极电极，具有由高熔点金属构成的层，由硅化物薄膜构成的层，由被上述高熔点金属薄膜层和上述硅化物薄膜层围起来的铝薄膜构成的层，此外，作为掩模厚度，是中央部分最厚、两端部分最薄的LDD掩模兼用含有中间铝层栅极电极，上述半导体层，由于以上述LDD形成掩模兼用含有中间铝层栅极电极为注入掩模从上方注入杂质离子，故是具有在由上述掩模厚度和杂质注入方向决定的位置上形成的单个台阶或多个台阶的LDD区域的LDD半导体器件。5．权利要求1、2、3或4所述的半导体器件，其特征是上述硅化物薄膜，是由下述硅化物群中选择出来的特定材料硅化物薄膜，这些硅化物群是钛硅化物、钴硅化物、镍硅化物、锆硅化物、钼硅化物、钯硅化物和铂硅化物。6．权利要求5所述的半导体器件，其特征是上述至少1个金属薄膜或高熔点金属薄膜，其构成金属是与构成上述硅化物的金属元素相同的同一材料金属薄膜。7．权利要求1、2、3或4所述的半导体器件，其特征是上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同材质的硅化物薄膜层。8．权利要求5所述的半导体器件，其特征是上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同的材质的硅化物薄膜层。9．权利要求6所述的半导体器件，其特征是上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同的材质的硅化物薄膜层。10．一种半导体器件的制造方法，其特征是具备下述步骤基本形成步骤，在基板上边规定的位置上形成半导体层，再在所形成的该半导体层上边形成栅极绝缘膜；栅极电极形成步骤，用来形成兼用做杂质注入时的掩模的栅极电极，其构造为在上述所形成的栅极绝缘膜上边，至少具有含有一层硅化物薄膜层的多层，至少一层向别的层的源极电极、漏极电极的至少一个方向上突出出来，为此，作为杂质注入时的掩模，中央部分最厚，在源极电极、漏极电极的至少一个方向上，按照突出出来的方向的顺序变薄。注入步骤，用来形成半导体层，该半导体层，以上述所形成的栅极电极为注入掩模，向上述半导体层进行杂质离子注入，由于掩模完全不存在，仅仅杂质离子的注入量多的源极区域和漏极区域、突出出来的部分变成为掩模，故具有由杂质离子注入少的LDD区域和由于整个薄膜层都变成为掩模因而杂质离子不能注入的沟道区域构成的LDD构造。11．一种半导体器件的制造方法，其特征是具备下述步骤基本形成步骤，在基板上边规定的位置上形成半导体层，再在所形成的该半导体层上边形成栅极绝缘膜；下部薄膜形成步骤，在上述所形成的栅极绝缘膜上部，形成作为多层构造的栅极电极的下部层的硅薄膜或金属薄膜；栅极电极形成步骤，形成作为上部层的金属薄膜或硅薄膜，使得不仅把上述所形成的下部薄膜完全覆盖起来，还在沟道区域方向上具有突出出来的部分，在上下层中一次形成材料不同的栅极电极；硅化物层形成步骤，采用把形成了上述栅极电极的基板晾晒在规定的温度下，使上述硅薄膜与上述金属薄膜进行反应的办法，在两层的界面部分上形成硅化物层；注入步骤，用来形成半导体层，该半导体层，以含有在上述栅极电极形成步骤中一次形成的栅极电极或在上述硅化物层形成步骤中形成的硅化物层的栅极电极为掩模，进行杂质离子的注入，由于掩模完全不存在，仅仅杂质离子的注入量多的源极区域和漏极区域、突出出来的部分变成为掩模，故具有由杂质离子注入量少的LDD区域和由于上述上下的2层重叠因而杂质离子不能注入的沟道区域构成的LDD构造。12．权利要求10或11所述的半导体器件的制造方法，其特征是在上述注入步骤之前，具有暂时除去位于上述栅极电极下部的部分之外的上述栅极绝缘膜的除去一部分栅极绝缘膜的步骤；在上述注入步骤结束后，在暂时除去了栅极绝缘膜的部分上再次形成栅极绝缘膜的步骤。13．一种具有在基板上边图形化后排列起来的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤下部栅极电极形成步骤，在基板上边的图形化的半导体层的上部形成的栅极绝缘膜上边，形成规定形状的下部栅极电极；上部栅极电极形成步骤，利用上述形成的下部栅极电极，与下部的栅极电极紧密接连地形成上部的栅极电极，使得栅极电极变成为在其源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方一端，具有与中央比较起来在杂质注入时掩模能力差的侧部的形状。杂质注入步骤，借助于上述两个步骤，把在上述源极电极一侧、漏极电极一侧的至少一方一侧，与中央部分比较起来具有掩模能力差的侧部的栅极电极用做掩模，向上述半导体层内注入杂质。14．一种具有在基板上边图形化后排列起来的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤下部栅极电极形成步骤，在基板上边的图形化的半导体层的上部形成的栅极绝缘膜上边，形成规定形状的下部栅极电极；杂质轻掺杂步骤，以上述所形成的下部栅极电极为掩模，向上述半导体层内轻度地注入杂质；上部栅极电极形成步骤，在上述杂质轻注入步骤结束后，利用上述下部栅极电极，在其上部紧密接连地形成在其源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方一侧具有突出出来的部分的上部栅极电极；杂质注入步骤，把用上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤形成的、上下2个台阶构造的栅极电极用做掩模，向上述半导体层内注入杂质。15．权利要求13或14所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述上部栅极电极形成步骤，是把下部栅极电极作为一方的电极借助于电镀附着规定的金属的利用电镀的LDD部分用掩模形成步骤。16．权利要求15所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述利用电镀的LDD部分用掩模形成步骤，是作为电镀，用电场电镀或无电场电镀进行的利用规定电镀的LDD部分用掩模形成步骤。17．权利要求13所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述上部栅极电极形成步骤，具有下述小步骤刻蚀小步骤，把上下的紧密接连地形成的上部栅极电极形成用膜和下部栅极电极形成用膜同时刻蚀成下部栅极电极的形状；阳极氧化小步骤，使刻蚀后的上部的栅极电极形成用膜阳极氧化。18．权利要求13或14所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述上部栅极电极形成步骤，是使下部栅极电极暴露于规定的物体中使之进行反应，在其源极电极一侧、漏极电极一侧的至少一方，形成由借助于反应产生的密度低的化合物构成的侧部的利用反应的LDD部分用掩模形成步骤。19．一种具有在基板上边图形化后排列起来的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤；下部栅极电极形成步骤，在基板上边的图形化的半导体层的上部形成的栅极绝缘膜上边，形成规定形状的下部栅极电极；上部栅极电极形成步骤，在上述所形成的下部栅极电极上边，采用至少使用光刻和刻蚀的办法，紧密接连地形成下部栅极电极的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方的端部突出出来的上部栅极电极；杂质注入步骤，借助于上述两个步骤，把在上述源极电极一侧、漏极电极一侧的至少一方一侧，与中央部分比较起来具有掩模能力差的侧部的栅极电极用做掩模，向上述半导体层内注入杂质。20．一种具有在基板上边图形化后排列起来的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤下部栅极电极形成步骤，在基板上边的图形化的半导体层的上部形成的栅极绝缘膜上边，形成规定形状的下部栅极电极；杂质轻注入步骤，以上述所形成的下部栅极电极为掩模，向上述半导体层内轻度地注入杂质；上部栅极电极形成步骤，在上述杂质轻注入步骤结束后，在上述下部栅极电极上边，采用至少使用光刻和刻蚀的办法，紧密接连地形成在下部栅极电极的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方的端部突出出来的上部栅极电极；杂质注入步骤，把用上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤形成的、上下2个台阶构造的栅极电极用做掩模，向上述半导体层内注入杂质。21．权利要求13、14、19或20所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤；栅极绝缘膜除去步骤，在上述上部栅极电极形成步骤结束后，在上述杂质注入步骤之前，暂时除去作为掩模使用的2个台阶构造的栅极电极下部的栅极绝缘膜；再次形成栅极绝缘膜步骤，在上述杂质注入步骤之后，在已除去了上述栅极绝缘膜的部分的半导体层上部，再次形成栅极绝缘膜。22．权利要求15所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤；栅极绝缘膜除去步骤，在上述上部栅极电极形成步骤结束后，在上述杂质注入步骤之前，暂时除去作为掩模使用的2个台阶构造的栅极电极下部的栅极绝缘膜；再次形成栅极绝缘膜步骤，在上述杂质注入步骤之后，在已除去了上述栅极绝缘膜的部分的半导体层上部，再次形成栅极绝缘膜。23．权利要求21所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤氢吸附性金属膜形成步骤，在上述栅极绝缘膜除去步骤之后，在半导体层上边，形成规定的厚度的氢吸附性金属膜；氢吸附性金属膜除去步骤，在上述杂质注入步骤之后，上述再次形成栅极绝缘膜步骤之前，剩下源极电极部分和漏极电极部分地除去在上述半导体层上边形成的氢吸附性金属膜；氢吸附性金属膜利用接触孔形成步骤，为了形成源极电极、漏极电极，在上述再次形成的栅极绝缘膜上边两电极形成部分上形成接触孔时，把上述剩下的氢吸附性金属膜作为刻蚀停止层利用。24．权利要求13、14、19或20所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤电极不必要部分除去步骤，在上述杂质注入步骤之后，借助于上述LDD部分用掩模形成步骤或上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤，上部栅极电极或下部栅极电极的一方一侧部分相对于另一方的电极，除去源极电极一侧、漏极电极一侧突出出来的部分。25．权利要求15所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤电极不必要部分除去步骤，在上述杂质注入步骤之后，借助于上述LDD部分用掩模形成步骤或上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤，除去上部栅极电极或下部栅极电极的一方一侧部分相对于另一方的电极的源极电极一侧、漏极电极一侧突出出来的部分。26．权利要求21所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤；电极不必要部分除去步骤，在上述杂质注入步骤之后，借助于上述LDD部分用掩模形成步骤或上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤，除去上部栅极电极或下部栅极电极的一方一侧部分相对于另一方的电极的源极电极一侧、漏极电极一侧突出出来的部分。27．权利要求23所述的顶部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤；电极不必要部分除去步骤，在上述杂质注入步骤之后，借助于上述LDD部分用掩模形成步骤或上述下部栅极电极形成步骤和上部栅极电极形成步骤，除去上部栅极电极或下部栅极电极的一方一侧部分相对于另一方的电极的源极电极一侧、漏极电极一侧突出出来的部分。28．一种具有在基板上边图形化后排列起来的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤栅极电极形成步骤，在基板上边形成图形化的规定的栅极电极；上部器件构成层形成步骤，在上述所形成的栅极电极上部，依次形成栅极绝缘膜、图形化的半导体层或除此之外还要加上的层间绝缘膜；主掩模形成步骤，在上述上部的器件构成层形成步骤中形成的最上部的层的上述栅极电极的正上边部分上，形成主掩模；上部掩模形成步骤，利用上述所形成的主掩模，在其源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方一端，利用在上部形成的主掩模，紧密接连地形成与中央部分比较，在杂质注入时掩模能力差的侧部；杂质注入步骤，以上述所形成的主掩模和上部掩模为掩模，从上部向上述半导体层内注入杂质。29．一种具有在基板上边图形化后排列起来的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是具有下述步骤栅极电极形成步骤，在基板上边形成图形化的规定的栅极电极；上部器件构成层形成步骤，在上述所形成的栅极电极上部，依次形成栅极绝缘膜、图形化的半导体层或除此之外还要加上的层间绝缘膜；主掩模形成步骤，在上述上部的器件构成层形成步骤中形成的最上部的层的上述栅极电极的正上边部分上，形成主掩模；杂质轻注入步骤，以上述所形成的主掩模为掩模，向上述半导体层内轻注入杂质；上部掩模形成步骤，在上述杂质轻注入步骤后，利用上述所形成的主掩模，与上述主掩模紧密接连地形成在其源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方一端，具有突出出来的部分的上部掩模；杂质注入步骤，以上述所形成的主掩模和上部掩模为掩模，向上述半导体层内注入杂质。30．权利要求28或29所述的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述主掩模形成步骤具有下述小步骤感光性树脂层形成小步骤，在上述上部器件构成层形成步骤中形成的最上部的层的更上部，形成感光性树脂层；栅极电极对应曝光小步骤，从形成了上述感光性树脂层的基板的基板一侧，以上述栅极电极为掩模，照射短波长的电磁波，仅仅使与上述栅极电极对应的部分的感光性树脂不曝光；利用感光性树脂非曝光部分的主掩模形成小步骤，在上述栅极电极对应曝光小步骤中，不论是保持原状地使用未曝光的部分的上述感光性树脂，还是用别的材料形成，总之要利用未曝光的部分的感光性树脂，形成上述主掩模。31．权利要求28或29所述的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述主掩模形成步骤，作为主掩模使用金属，此外，上述上部掩模形成步骤，是以主掩模作为一方的电极，用电镀附着规定的金属的利用电镀的上部掩模形成步骤。32．权利要求30所述的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述主掩模形成步骤，作为主掩模使用金属，此外，上述上部掩模形成步骤，是以主掩模作为一方的电极，用电镀附着规定的金属的利用电镀的上部掩模形成步骤。33．权利要求28或29所述的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是上述上部掩模形成步骤是利用反应的上部掩模形成步骤，把主掩模暴露于规定的物体内并使之进行反应，在其源极电极一侧、漏极电极一侧的至少一方，形成由借助于反应产生的密度低的化合物构成的侧部。34．权利要求30所述的底部栅极型的LDD构造的薄膜半导体器件的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹桥信逸，生田茂雄，河北哲郎，井上真弓，仓增敬三郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]