硅膜成形方法技术

一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和／或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和／或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括ＤＶＤ之类的方法所涉及的真空加工。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅膜成形方法，其特征在于在基板上涂布含有环状硅化合物的溶液，该硅化合物由通式Ｓｉ↓［ｎ］Ｘ↓［ｍ］代表，其中ｎ是等于或大于５的整数，ｍ是等于ｎ、２ｎ－２或２ｎ的整数，Ｘ是氢原子和／或卤素原子。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：下田达也，宫下悟，关俊一，古泽昌宏，汤田坂一夫，竹内安正，松木安生，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，捷时雅株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]