制备用于电连接的导电座的方法及形成的导电座技术

提供一种制备用于电连接的具有优良的扩散阻挡层与附着性能的铜座表面的方法。首先提供经过酸溶液清洁的铜座表面，然后在铜座表面上沉积含磷或含硼合金的保护层，接着在保护层上面沉积稀有金属的附着层。或者，可在化学沉积保护层之前在铜导电表面与保护层之间沉积一层Ｐｄ形核层。或者，可通过无电镀Ａｕ沉积处理在附着层的上面沉积一层稀有金属层。本发明专利技术还公开一种电结构，它包括形成在附着层上并含有同附着层形成整体的电连接即引线键合或钎焊凸块的导电座。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
制备用于电连接的导电座的方法及形成的导电座本专利技术一般地涉及一个形成用于电连接的导电座的方法及形成的导电座，更详细地，涉及一个形成与引线键合或钎焊凸块电连接的铜导电座表面的方法及形成的铜导电座。在制造半导体器件时，在最后处理步骤中，可把一块集成电路(IC)芯片装入一个封装件。然后可把装配好的封装件连接到一块作为大电路一部分的印刷电路板。为建立与集成电路芯片的电气联系，可使用引线键合处理或钎焊凸块处理把IC芯片上大量的键合座与外部电路连接。在一块典型的IC芯片中，有效电路元件例如晶体管、电阻等布置在芯片的中心部分即有效区域内，而键合座布置在围绕有效区域的周边，使在后继的焊接处理期间不会损坏有效电路元件。当施行引线键合处理时，此处理要求通过利用超声波能将连线与座熔化在一起从而把金线或铝线焊接在芯片的键合座上。在形成焊接后，将线从引线键合座拉开。拉线处理常导致称为键合座剥离的缺陷。出现这种缺陷的原因是由于在把金线附加到键合座的处理期间，一个高强度的应力施加在键合座上，即一个相对较大较重的键合施加在可能与下层附着不好的几个层上。例如，影响层间附着的一个因素是为防止在后继的高温处理期间铝扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备用于电连接的铜座表面的方法，包括步骤：提供铜座表面；在铜座表面上选择地沉积一个含磷或含硼合金的保护层；与在所述保护层上面选择地沉积一个稀有金属的附着层。

【技术特征摘要】
US 2000-2-22 09/510,9961．一种制备用于电连接的铜座表面的方法，包括步骤：提供铜座表面；在铜座表面上选择地沉积一个含磷或含硼合金的保护层；与在所述保护层上面选择地沉积一个稀有金属的附着层。2．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括在沉积保护层之前在铜座表面上选择性沉积一个稀有金属的形核层的步骤。3．一种制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括步骤：在一种酸溶液中清洁铜座表面；与在铜座表面上选择性沉积一个稀有金属的形核层。4．根据权利要求2的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述形核层由钯沉积。5．根据权利要求3的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括在沉积所述形核层之后用水清洗铜座表面的步骤。6．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座层的方法，还包括通过无电镀技术沉积所述保护层的步骤。7．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述沉积一个保护层的步骤还包括步骤：将所述铜座表面与一个无电镀槽内的加热缓冲溶液接触，该无电镀槽含有钴离子、硼酸、柠檬酸盐离子、醋酸铅与次磷酸盐；与将所述铜座表面与加热无电镀溶液接触，该溶液含有镍离子、柠檬酸盐离子、硼酸、次磷酸钠或二甲氨基硼化氢。8．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层由从包括Au、Pt、Pd与Ag的组中选择的一种金属形成。9．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层通过把晶片浸入Au浸没溶液形成。10．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述附着层由一种稀有金属形成至厚度在约500与约4000之间。11．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述含磷或含硼的合金从包括Ni-P、Co-P、Co-W-P、Co-Sn-P、Ni-W-P、Co-B、Ni-B、Co-Sn-B、Co-W-B与Ni-W-B的组中选择。12．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层由一种含磷或含硼的合金形成至厚度在约1000与约10000之间。13．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括通过无电镀技术在所述附着层的上面沉积稀有金属层使稀有金属层的总厚度在约2000与约12000之间的步骤。14．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层包括每个为含磷或含硼合金的2个独立层。15．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Co-W-P与Ni-P的复合层，所述附着层为Au。16．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Ni-P或Co-W-P，并且所述附着层为Au。17．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述保护层为Ni-P，并且所述附着层为浸没Au与无电镀Pd。18．根据权利要求2的制备用于电连接的铜座表面的方法，还包括沉积许多Pd毫微粒子用作所述形核层的步骤。19．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法，其中所述铜座表面在从包括硅晶片、硅-锗晶片与绝缘硅片的组中选择的衬底上提供。20．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法还包括步骤：将铜座表面所坐落的晶片切割成各个IC芯片；与在铜座表面上形成引线键合。21．根据权利要求1的制备用于电连接的铜座表面的方法还包括步骤：将铜座表面所坐落的晶片切割成许多IC芯片；与在所述铜座表面上形成用于进行电连接的钎焊凸块。22．根据权利要求21的制备用于电连接的铜座表面的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡洛斯J桑布塞蒂，丹尼尔C艾德尔斯坦，约翰G高德罗，朱迪思M鲁宾诺，乔治沃克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]