电子结构及其形成方法技术

一种可以通过结构环氧树脂粘接剂与电子器件接合的电子结构。电子结构包括在金属片上的一矿物层、在矿物层上的一助粘剂层。金属片含有镀有或未镀金属层的金属物质，其可以包括如不锈钢、铝、钛、黄铜、镀镍黄铜和镀铬黄铜等。矿物层包括一种源自矿物的化学物质，如来自石英的ＳｉＯ↓［２］。化学物质可以包括如二氧化硅、氮化硅和碳化硅等，其可以晶态或非晶态形式存在。助粘剂可以包括如硅烷、钛酸盐、锆酸盐和铝酸盐等。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用以改善粘接效果的管帽粘接面的改进本专利技术涉及一种结构及其成型方法，其中金属片经过表面处理而利于粘接。在电子结构中，将电子器件(如芯片)粘接到电子器件载体(如芯片载体或电路板)上一般存在着电子器件与电子器件载体之间的热膨胀系数(CTE)不匹配的现象。例如，硅芯片可以通过受控压扁的芯片连接(C4)钎焊球被粘到有机芯片载体上，从而热固化的刚性热固材料裹住C4钎焊球并通过机械方式将芯片与芯片载体连接起来。硅芯片的CTE一般为2ppm/℃-3ppm/℃，而有机芯片载体的CTE一般为17ppm/℃-18ppm/℃。当有机芯片载体比芯片更强烈地热胀冷缩时，机械连接结构通过使有机芯片载体沿着离开芯片的方向向下凹弯来响应于温度由刚性热固材料的固化温度(如130℃)开始的下降，由此在芯片载体中产生了“下皱眉”(“frown”)形状。由于芯片载体可能在其底侧面上具有球栅阵列(BGA)以便将芯片载体连接到电路板上，所以芯片载体向下凹弯表现出偏离了对BGA钎焊球上施加应力的平面。这样的应力可能扭曲BGA钎焊球的形状并使BGA钎焊球遭受因热循环引起的过早疲劳损坏。目前用于缓解上述CTE失配问题的方法利用了金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子结构，它包括： 一个金属片； 一个与该金属片粘接的矿物层；以及 一个与该矿物层粘接的助粘剂层。

【技术特征摘要】
US 1999-7-27 09/3617231．一种电子结构，它包括：一个金属片；一个与该金属片粘接的矿物层；以及一个与该矿物层粘接的助粘剂层。2．如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述矿物层含有选自二氧化硅、氮化硅和碳化硅的矿物质。3．如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述矿物层的厚度约为50埃-2000埃。4．如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属片包括选自不锈钢、铝、钛、黄铜、镀镍黄铜和镀铬黄铜的金属物质。5．如权利要求1所述的结构，其特征在于，助粘剂层含有选自硅烷、钛酸盐、锆酸盐和铝酸盐的助粘剂。6．如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述助粘剂层含有选自3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)丙基三甲氧基硅烷或3-(2-氨基)丙基三乙氧基硅烷的硅烷。7．如权利要求1所述的结构，其特征在于，它还包括：一个电子器件载体，一个与该电子器件载体相连的电子器件，以及一个与所述助粘剂层粘接的粘接结构，其中粘接结构使金属片与电子器件彼此粘接，并且它也使金属片与电子器件载体相互粘接。8．如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述粘接结构包含一种结构环氧树脂粘接剂。9．如权利要求7所述的结构，其特征在于，金属片的热膨胀系数(CTE)超过电子器件的CTE。10．一种形成电子结构的方法，它包括：提供一个金属片；在该金属片上形成一矿物层；以及在该矿物层上形成一个助粘剂层。11．如...

【专利技术属性】
技术研发人员：SL布赫瓦尔特，HM丹格，MA加内斯，KI帕帕托马斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]