【技术实现步骤摘要】
基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管,利用势垒金属从硅开始至与硅表面SiO2过接触部分形成的缓冲台阶(Taper),可以简便制作SBD,其性能与常规方法制作的SBD相当。1) 多种锥形角度使用;2) 势垒金属上面,势垒金属与外部引线用金属层形成混合(合金)层;3) 势垒金属端部越过直接在硅表面形成的合金层,与SiO2/PSG或其他薄膜接触;4) 势垒金属膜淀积过程中,淀积速度发生变化;5) 势垒金属通常使用Mo,Ti,W,Cr等;6) 势垒金属与外部引线用金属层的过渡层通常为A1;7) 外部引线用金属层包括Al,Al-Si-Cu及Al-Mo-Ni等;8) 上述各项的组合物。附图说明图1表示实现本专利技术的一个实例1(a)硅衬底 1(b)外延层2)SiO2等薄膜3)势垒金属4)包含势垒金属的混合层及外部引线用金属层图2 势垒金属硅接触角度和最高限界电流的关系(a)接触角度的定义(b)接触角度和最高限界电流的关系图中纵轴表示最高限界电流的归一化值,非实际的电流值。图3通常SBD结构剖面图1)硅衬底2)外延层(n)3)P+型保护环4)势垒金属5)SiO2等薄膜6)外部引线用金属层本专利技术主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关,其主要特征对照图1和图3较容易理解,在本专利技术的制造方法中,没有通常的保护环制作步骤,两者结构上的简单区别,在实际应用中会产生很好的效果。以下是与本专利技术相关的说明。图3中结构3)P+保护环,是应用电路要求的结果。二极管应用于整流电路时,为了平滑输出电压的波形,需要接入电感进行平滑滤波。电感工作的特点是随着 ...
【技术保护点】
本专利技术主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关,基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管,利用势垒金属从硅开始至与硅表面接触部分形成的缓冲台阶,可以简便制作SBD,其性能与常规方法制作的SBD相当。
【技术特征摘要】
本发明主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关,基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管,利用势...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈庆丰,
申请(专利权)人:绍兴科强半导体有限公司,宁波普罗强生半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:CN[中国]
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