银粉及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种银粉及其制造方法，在作为导电性糊料的材料来使用的情况下，即使导电性糊料的烧制时间变得比以往要短，也能形成电阻值较低的导电膜。将晶粒直径为50nm以下且累积50％粒径(D

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】银粉及其制造方法


[0001]本专利技术涉及银粉及其制造方法，特别涉及适用于导电性糊料的材料的银粉及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，作为形成太阳能电池的电极、使用了低温烧制陶瓷(LTCC)的电子部件或层叠陶瓷电感器(MLCI)等层叠陶瓷电子部件的内部电极、层叠陶瓷电容器或层叠陶瓷电感器等的外部电极等的导电性糊料的材料，使用了银粉等金属粉末。
[0003]作为这样的使用银粉等金属粉末的导电性糊料，提出了包含晶粒直径为58nm以上的第1银粉末、晶粒直径与该第1银粉末不同的第2银粉末、玻璃熔块和树脂粘合剂在内的太阳能电池电极用糊料(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本专利特开2007
‑
194581号公报(段落编号0012)

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0005]然而，若对专利文献1的糊料进行烧制来形成太阳能电池的电极，则电极的电阻值有时变得较高，为了提高太阳能电池的转换效率，希望降低电极的电阻值。此外，在对专利文献1的糊料进行烧制来形成太阳能电池的电极的情况下，需要在约600～900℃的温度下烧制约2～15分钟，烧制时间较长，对形成电极的基板的损伤变大。
[0006]因此，本专利技术鉴于上述现有问题点，其目的在于提供一种银粉及其制造方法，在作为导电性糊料的材料来使用的情况下，即使导电性糊料的烧制时间变得比以往要短，也能形成电阻值较低的导电膜。解决技术问题所采用的技术方案
[0007]为了解决上述问题，本专利技术人进行了认真的研究，其结果是，如果将由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1μm以上4μm以下的大直径的银粉、与由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为0.3μm以上1μm不到的小直径的银粉混合起来，由此来制造粉末X射线衍射装置所测定并计算出的晶粒直径为50nm以下、且压缩密度为6.3g/cm3以上的银粉，则发现能制造一种银粉，其在作为导电性糊料的材料来使用的情况下，即使与以往相比导电性糊料的烧制时间变短，也能形成电阻值较低的导电膜，由此，完成了本专利技术。
[0008]即，本专利技术所涉及的银粉的制造方法的特征在于，将由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的
基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1μm以上4μm以下的大直径的银粉、与由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为0.3μm以上1μm不到的小直径的银粉混合起来，由此来制造粉末X射线衍射装置所测定并计算出的晶粒直径为50nm以下、且压缩密度为6.3g/cm3以上的银粉。
[0009]该银粉的制造方法中，优选为所制造出的银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积90％粒径(D
90
)相对于累积10％粒径(D
10
)之比为4.0～6.5。此外，优选为在所制造的银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1.2～3.0μm。此外，优选为激光衍射/散射式粒度分布测定装置所进行的湿法的测定使银粉分散在异丙醇中来进行。
[0010]此外，本专利技术所涉及的银粉的特征在于，由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下，且压缩密度为6.3g/cm3以上。
[0011]优选为在该银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积90％粒径(D
90
)相对于累积10％粒径(D
10
)之比为4.0～6.5。此外，优选为在该银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1.2～3.0μm。此外，优选为激光衍射/散射式粒度分布测定装置所进行的湿法的测定使上述银粉分散在异丙醇中来进行。
[0012]此外，本专利技术所涉及的导电性糊料的特征在于，上述银粉分散在有机成分中。专利技术效果
[0013]根据本专利技术，能制造一种银粉，在作为导电性糊料的材料来使用的情况下，即使导电性糊料的烧制时间变得比以往要短，也能形成电阻值较低的导电膜。
附图说明
[0014]图1A是示出实施例中所使用的银粉1的通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置按湿法测定得到的基于体积的粒度分布的图。图1B是实施例中所使用的银粉1的1万倍的扫描电子显微镜照片(SEM像)。图2A是示出实施例中所使用的银粉2的通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置按湿法测定得到的基于体积的粒度分布的图。图2B是实施例中所使用的银粉2的1万倍的SEM像。图3A是示出实施例1中所得到的银粉的通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置按湿法测定得到的基于体积的粒度分布的图。图3B是实施例1中所得到的银粉的1万倍的SEM像。图4A是示出实施例2中所得到的银粉的通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置按湿法测定得到的基于体积的粒度分布的图。图4B是实施例2中所得到的银粉的1万倍的SEM像。图5A是示出比较例1中所得到的银粉的通过激光衍射/散射式粒度分布测定装置按湿法测定得到的基于体积的粒度分布的图。图5B是比较例1中所得到的银粉的1万倍的SEM像。
图6是比较例2中所得到的银粉的1万倍的SEM像。图7是对实施例1中得到的导电性糊料进行烧制后的导电膜的截面的扫描电子显微镜照片(SEM像)。图8是对实施例2中得到的导电性糊料进行烧制后的导电膜的截面的SEM像。图9是对比较例1中得到的导电性糊料进行烧制后的导电膜的截面的SEM像。
具体实施方式
[0015]本专利技术所涉及的银粉的实施方式的制造方法中，将由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm(优选为42nm)以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1μm以上4μm以下的大直径的银粉、与由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm(优选为42nm)以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为0.3μm以上1μm不到的小直径的银粉混合起来，由此来制造粉末X射线衍射装置所测定并计算出的晶粒直径为50nm以下、且压缩密度为6.3g/cm3以上的银粉。
[0016]优选为由该银粉的制造方法所制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种银粉的制造方法，其特征在于，将由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为1μm以上4μm以下的大直径的银粉、与由粉末X射线衍射装置测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积50％粒径(D
50
)为0.3μm以上1μm不到的小直径的银粉混合起来，由此来制造粉末X射线衍射装置所测定并计算出的晶粒直径为50nm以下且压缩密度为6.3g/cm3以上的银粉。2.如权利要求1所述的银粉的制造方法，其特征在于，所制造的所述银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度分布中累积90％粒径(D
90
)相对于累积10％粒径(D
10
)之比为4.0～6.5。3.如权利要求1所述的银粉的制造方法，其特征在于，所制造的所述银粉的由激光衍射/散射式粒度分布测定装置以湿法测定得到的基于体积的粒度...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井政德，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：