半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是一种半导体器件的制造方法，它包含在具有电极（１４）的多个半导体元件（１２）的集合体（１０）上形成多个树脂层（４０、１００）、与各半导体元件（１２）的电极（１４）进行电连接的布线（２０）以及与布线（２０）进行电连接的外部端子（３０），并且切断集合体（１０）的工序，避开集合体（１０）的切区域形成多个树脂层（４０、１００）中的至少一个树脂层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置。如追溯半导体器件的高密度封装，则裸芯片封装是理想的。然而，裸芯片难以保证品质并且不便使用。因此，应用CSP(Chip Scale/SizePackage芯片尺度/尺寸封装)的半导体器件便得到开发。尤其是近年来，以晶片水平制造的所谓晶片水平的CSP技术引人注目。采取晶片水平CSP将涂有树脂层并进行二次布线的多个半导体元件以晶片单位形成，然后切断成各个半导体元件，形成半导体器件。但是，此时切割成小片后的半导体器件端面造成缺损，往往树脂层从半导体元件的界面剥离掉。本专利技术是解决这一问题的技术，其目的在于提供可靠性高的半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置。(1)本专利技术的半导体器件的制造方法是一种半导体器件的制造方法，在具有电极的多个半导体元件的集合体上形成多个树脂层、与各半导体元件的上述电极进行电连接的布线以及与上述布线进行电连接的外部端子，并包含切断上述集合体的工序。可避开上述集合体的切断区域以形成上述多个树脂层中的至少一个树脂层。按照本专利技术，预先避开集合体的切断区域以形成至少一个树脂层并切断集合体。由此，可以抑制半导体器件端部的缺损，可以防止半导体器件的树脂层剥离。因此，可以制造可靠性高的半导体器件。(2)在该半导体器件的制造方法中，对于上述至少一个树脂层可通过喷墨方式或者印刷方式形成。因此，可以更简单地避开切断区域，形成至少一个树脂层。(3)在该半导体器件的制造方法中，可将上述至少一个树脂层预先构制图形并形成在另一构件上，并采取使之转印到上述集合体的方法形成。因此，可以更简单地避开切断区域，形成至少一个树脂层。(4)在该半导体器件的制造方法中，在上述切断区域敷设由疏离上述至少一个树脂层的成分构成的材料，通过用上述材料使之疏离的方法形成上述至少一个树脂层。因此，可将至少一个树脂层确实从切断区域除去。(5)在该半导体器件的制造方法中，上述至少一个树脂层由感光性材料构成，可通过曝光并除去上述切断区域的部分来形成上述至少一个树脂层。因此，例如用现有的工序可以容易地形成至少一个树脂层。(6)在这种半导体器件的制造方法中，上述多个树脂层包括上述布线下面的第一树脂层和上述布线上面的第二树脂层，用形成上述树脂层的工序也可以避开上述集合体的切断区域，至少形成上述第1树脂层。因此，可避开切断区域形成在布线下面所形成的第1树脂层。例如，在较厚地形成第1树脂层的情况下是有效的。(7)在这种半导体器件的制造方法中，用形成上述树脂层的工序可避开上述集合体的切断区域，形成上述第2树脂层。(8)在这种半导体器件的制造方法中，用形成上述树脂层的工序，在以覆盖上述外部端子和上述切断区域的方式敷设上述第2树脂层的至少是最上层后，除去其一部分并使上述外部端子至少是前端部露出，同时除去上述切断区域的部分。因此，例如用现有的工序数可以从切断区域去除第2树脂层。(9)在这种半层体器件的制造方法中，用形成上述树脂层的工序，可形成多层上述第2树脂层，以覆盖上述集合体的切断区域的方式形成上述多层中至少是最上层。因此，可以抑制切断时半导体端部的缺陷的发生，也可以抑制缺陷的蔓延，可以有效地防止树脂层的剥离。(10)在这种半导体器件的制造方法中，上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层。用形成上述树脂层的工序，可避开上述集合体的切断区域，至少形成上述第2树脂层。因此，可避开切断区域，形成在布线上所形成的第2树脂层。例如，在较厚地形成第2树脂层的情况下是有效的。(11)在这种半导体器件的制造方法中，上述第2树脂层的热膨胀系数可比上述第1树脂层大。因此，可以有效地缓和由热应力造成的应力。(12)在这种半导体器件的制造方法中，用形成上述树脂层的工序，可使上述外部端子的一部分露出，形成上述第2树脂层，使得从上述外部端子的上述第2树脂层露出的部分比上述外部端子与上述布线的结合部从平面上看要小。因此，通过增大在第2树脂层中与外部端子的接触面积，可使应力进一步有效地得到缓和。(13)在这种半导体器件的制造方法中，形成多层上述树脂层，用形成上述树脂层的工序，避开上述布线中形成上述外部端子的区域，以形成上述第2树脂层的最下层，用形成上述外部端子的工序，可在从上述布线的上述第2树脂层露出的部分形成上述外部端子。因此，可以更简单地设置外部端子。(14)在这种半导体器件的制造方法中，在各个上述半导体元件中形成多个上述电极，用形成上述树脂层的工序，可在上述半导体元件中比上述电极更靠内侧的区域形成上述第1树脂层。因此，可以避开切断区域敷设第1树脂层。另外，通过减少第1树脂层的面积，即使在半导体元件和第1树脂层的热膨胀系数有某种程序的差异时，也可以有效地缓和施加于外部端子上的应力。(15)本专利技术的半导体器件通过上述半导体器件的制造方法制造而成。(16)本专利技术的半导体器件包括有电极的半导体芯片；与上述半导体芯片上的上述电极进行电连接的布线；与上述布线进行电连接而设置的外部端子；以及在形成上述半导体芯片的上述电极的面上敷设的多个树脂层，上述多个树脂层中的至少一个树脂层，其平面形状的外缘比上述半导体芯片的外缘更靠近内侧。按照本专利技术，至少一个树脂层的平面形状的外缘比被切断后的半导体元件的外缘更靠近内侧。即，在多个树脂层中至少一个树脂层避开半导体元件的端部而被形成。因此，可以防止树脂层从切断面剥离。(17)在该半导体器件中，上述至少一个树脂层可以在上述布线下面形成。(18)在该半导体器件中，上述半导体芯片备有多个上述电极，上述至少一个树脂层，从平面上看可在比上述半导体芯片的上述电极更靠近内侧的区域形成。因此，由于树脂层的面积小，即使半导体芯片与树脂层的热膨胀系数有某种程度的差异时，也可以有效地缓和施加于外部端子上的应力。(19)在该半导体器件中，上述多个树脂层包括上述布线上以覆盖住上述外部端子的底部周围的方式被敷设的树脂层，可使上述外部端子的一部分露出，使得上述外部端子从上述树脂层露出的部分比起与上述外部端子的上述布线的接合部从平面上看要变小。因此，通过增大与树脂层的外部端子的接触面积可进一步有效地缓和应力。(20)本专利技术的电路基板上装载有上述半导体器件。(21)本专利技术的电子装置中包括上述半导体器件。图1是说明本专利技术第1实施形态的半导器件用的图。图2是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图3是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图4是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图5是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图6是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图7是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图8是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法用的图。图9是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法的第1变例用的图。图10是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法的第2变例用的图。图11是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件的制造方法的第3变例用的图。图12是说明本专利技术第1实施形态的半导体器件及其制造方法的第4变例用的图。图13是说明本专利技术第2实施形态的半导体器件及其制造方法用的图。图14是说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中，包括在具有电极的多个半导体元件的集合体上形成多个树脂层、与各半导体元件的上述电极进行电连接的布线、以及与上述布线进行电连接的外部端子，并且切断上述集合体的工序，其特征在于：避开上述集合体的切断 区域，形成上述多个树脂层中的至少一个树脂层。

【技术特征摘要】
JP 2000-3-23 81999/001.一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中，包括在具有电极的多个半导体元件的集合体上形成多个树脂层、与各半导体元件的上述电极进行电连接的布线、以及与上述布线进行电连接的外部端子，并且切断上述集合体的工序，其特征在于避开上述集合体的切断区域，形成上述多个树脂层中的至少一个树脂层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过喷墨方式或者印刷方式形成上述至少一个树脂层。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过预先构图并且形成在另外的构件上，使上述至少一个树脂层转印刷上述集合体上而形成。4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于在上述切断区域敷设由疏离上述至少一个树脂层的成分而构成的材料，通过用上述材料使上述至少一个树脂层受到疏离而形成。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于上述至少一个树脂层由感光材料构成，通过对上述至少一个树脂层曝光并去除掉上述切断区域的部分而形成上述至少一个树脂层。6.如权利要求1、2、3、5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层，通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合体的切断区域形成至少是上述第1树脂层。7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合体的切断区域形成上述第2树脂层。8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过形成上述树脂层的工序，在以覆盖住上述外部端子和上述切断区域的方式敷设上述第2树脂层中的至少是最上层以后，去除掉其中一部分，使上述外部端子的至少前端部露出，同时去除掉上述切断区域的部分。9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过形成上述树脂层的工序，上述第2树脂层由多层形成，可形成上述多层中的至少是最上层，以便覆盖住上述集合体的切断区域。10.如权利要求1、2、3、5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于上述多个树脂层包括上述布线下面的第1树脂层和上述布线上面的第2树脂层，通过形成上述树脂层的工序，避开上述集合...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑原启二，花冈辉直，伊东春树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]