发光器件和使用该器件的发光设备制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括ｎ型或ｐ型衬底；掺杂区，其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度，其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型，由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的ｐ－ｎ结中发光；共振器，其提高从ｐ－ｎ结中发射光波长的选择性；和第一和第二电极，分别在衬底一个表面和另一表面上形成，用于喷射电子空穴和电子。该发光器件包括超浅掺杂区，由此它可以利用ｐ－ｎ结中量子约束效应来发光。增加一种只用于共振特定波长范围光的共振器结构，由此光波长的选择性得到明显提高并具有良好效率。通过共振器结构光发射强度得到增强，并且发射光的方向性与传统的发光设备相比得到进一步提高。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高效发光器件和使用该器件的发光设备。
技术介绍
可以高可靠性地将硅半导体衬底用在高度集成的逻辑器件、操作机构器件、驱动器件中。由于硅价格便宜，因此和利用化合物半导体相比，可以在硅衬底上以低成本形成高度集成的电路。正因为如此，硅已经成为用于最集成的电路的基础材料。基于硅的优点，已经研制出制造硅基发光器件的稳定成果，以便实现可以通过用于形成集成电路的一般工艺制造的低成本的光电器件。实验证实，多孔硅和毫微硅具有发光能力。这样，有关这些的研究正在继续。图1显示出在体单晶硅的表面中形成的多孔硅区域的截面图以及在多孔硅区域中的价带和导电带之间的能量带隙。可以在含有例如氢氟酸(HF)溶液的电解液中、通过在体单晶硅(Si)的表面上的阳极电化学溶解而获得多孔硅。对体硅在HF溶液中进行阳极电化学溶解的同时，具有许多孔1a的多孔硅区域1形成在体硅的表面中，如图1所示。在形成孔1a的区域中，和凸出区域1b中相比存在更多不溶解于氢氟酸的Si-H键。相对于多孔硅区域1的形状，将会相反的出现在价带(Ev)和导电带(Ec)之间的能量带隙。由凸出区域围绕并相应于由多孔硅区域1中的孔区域1a围绕的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括： ｎ型或ｐ型衬底； 掺杂区，其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度，其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型，由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的ｐ－ｎ结中发光； 共振器，其提高从ｐ－ｎ结中发射光波长的选择性；和 第一和第二电极，分别在衬底一个表面和另一表面上形成，用于喷射电子空穴和电子。

【技术特征摘要】
KR 2002-3-23 15902/02;KR 2001-4-17 20494/011.一种发光器件，包括n型或p型衬底；掺杂区，其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度，其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型，由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p-n结中发光；共振器，其提高从p-n结中发射光波长的选择性；和第一和第二电极，分别在衬底一个表面和另一表面上形成，用于喷射电子空穴和电子。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述共振器包括第一反射层，其在所述衬底另一表面上形成；第二反射层，其在掺杂区上形成，与所述第一反射层一起构成共振器来提高发射光波长的选择性；所述第一和第二反射层中的一个形成为具有比另一个低的反射率，由此光穿过具有较低反射率的第一或第二反射层向外发射。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二反射层是分散的布拉格反射镜(DBR)，其由具有不同折射率的交替材料层形成。4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于，所述第一反射层在所述衬底另一表面上形成，而所述第一电极环绕所述第一反射层在所述衬底另一表面上形成。5.根据权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极在所述衬底另一表面和所述第一反射层之间由透明电极形成。6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括在所述衬底一个表面上的控制层，其在形成所述掺杂区时作用为掩模并限定所述掺杂区深度达到超浅。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述衬底由预定的包括硅的半导体材料构成，并且所述控制层由适当厚度氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李银京，崔秉龙，刘在镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]