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本发明提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括ｎ型或ｐ型衬底；掺杂区，其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度，其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型，由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的ｐ－ｎ结中发光；共振...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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