【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以焊料将装有半导体元件的容器(基座)和封盖接合的。特别涉及渗漏发生率能降低到不大于以前方法的1/10的气密密封方法。
技术介绍
SAW滤波器、石英晶体振子等各种半导体元件处于本身状态时,恐怕会因空气中的氧气和湿气而使导电晶格和衬垫腐蚀和特性变差。因此,为了完全隔离半导体元件和外界空气,通常以气密密封在内部真空或填充He或N2的金属制或陶瓷制的容器(封装件)中的状态将半导体元件安装到电子仪器上。这里,作为半导体元件的气密密封技术(hermetic seal技术),已知有焊料密封法、缝焊法、激光密封法等,根据制造的电子元件的规模、要求的气密性等分别使用这些方法。其中,焊料密封法是在装有半导体元件的基座上焊接封盖和盖住半导体元件而密封的方法。这种焊料密封法不像缝焊法,对容器材料和薄度没有特别的限制,而且不需要激光密封法所用的高价接合装置,所以它作为能用适当的成本实现高水平气密状态的方法而被广泛使用。而且,对于需要上述密封状态的电子元件,不用说,要求内部的半导体元件和外界空气完全隔断和能够不担心发生渗漏地使用。在使用这种气密密封技术的电子元件的制造过程中 ...
【技术保护点】
电子元件的气密密封方法,它包括用焊料将装有半导体元件的基座与封盖接合的步骤,其中使用含有78-79.5重量%的Au和其余为Sn的焊料作为所述的焊料进行接合。
【技术特征摘要】
JP 2000-11-27 358744/001.电子元件的气密密封方法,它包括用焊料将装有半导体元件的基座与封盖接合的步骤,其中使用含有78-79.5...
【专利技术属性】
技术研发人员:岩井正三郎,小林胜,泽田治,
申请(专利权)人:田中贵金属工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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