电子装置制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子装置制造方法，其步骤包括将一基层上的一金属膜经选择性非多孔阳极氧化，以于金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层，并将金属膜及密实非多孔氧化层经选择性多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧化层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种具多层互联(interconnect)结构的。随电子科技的快速创新，电子装置的体积微小化已成为制程主要考量之一。一理想的电子装置须具有一尽可能一体化的体积，而包括由一基层、多层互相隔离的导电路径及其与该基层的连接构造所组成的多层互联结构。上述各导电路径层及多层互联结构相互联接，其传统制程包括将基层上的一金属借溅镀(sputtering)或真空沉积(vacuum deposition)方式形成金属薄膜，而后进行特定的照相蚀刻(photo-etching)。然而，该程序产出的各导电路径层及其互联结构将有一定程度的不平整缺点，且该不平整现象随导电路径层及互联结构的增加更为严重。美国第3,988,214号专利揭示一种半导体装置制造方法，如附图说明图1至图5所示，该方法包括将一导电金属膜401沉积于一半导体基层101(见图1)后，将该导电金属膜401经选择而予多孔性阳极氧化，以形成一金属氧化多孔层404，并界定出由金属膜401的多孔层404所隔离的多个导电槽201(见图1及图2)，再将各导电槽201经屏蔽性(barrier)阳极氧化以形成一覆盖导电槽201本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置制造方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：制备具有一绝缘平面表面的基层；在该基层的平面表面上形成一金属膜；以第一光罩选择性屏蔽该金属膜，以于该金属膜上界定出第一外露区及第一非外露区；将该金属膜经非多孔阳极氧化，以 于该金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层；去除该金属膜的该第一光罩；以第二光罩选择性屏蔽该金属膜及该密实非多孔氧化层，以界定出该密实非多孔氧化层上的第二外露区，该第二外露区是略偏离该金属膜上的非外露区；将该金属膜及该密实非多孔 氧化层经多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧化层；及去...

【技术特征摘要】
1.一种电子装置制造方法，其特征在于，该方法包括下述步骤制备具有一绝缘平面表面的基层；在该基层的平面表面上形成一金属膜；以第一光罩选择性屏蔽该金属膜，以于该金属膜上界定出第一外露区及第一非外露区；将该金属膜经非多孔阳极氧化，以于该金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层；去除该金属膜的该第一光罩；以第二光罩选择性屏蔽该金属膜及该密实非多孔氧化层，以界定出该密实非多孔氧化层上的第二外露区，该第二外露区是略偏离该金属膜上的非外露区；将该金属膜及该密实非多孔氧化层经多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧化层；及去除该金属膜及该密实非多孔氧化层的第二光罩。2.如权利要求1所述的电子装置制造方法，其特征在于该金属膜包含自铝、钛、钽、铌及鋡群选出的一金属。3.如权利要求1所述的电子装置制造方法，其特征在于该金属膜包含铝及钽。4.如权利要求1所述的电子装置制造方法，其特征在于该基层的制备步骤包括准备一铝板，及于该铝板形成一作为该绝缘平面表面的铝氧化层。5.如权利要求1所述的电子装置制造方法，其特征在于该金属膜是由铝制成，其厚度范围自1.0至2.5μm，而...

【专利技术属性】
技术研发人员：周钟霖，
申请(专利权)人：环宇真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]