高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片及其制造方法技术

技术编号:3209337 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,包含二彼此相间隔的基板,及一封装于该二基板间并同时与该二基板电性连结的热交换装置,该基板可外加一电流,该热交换装置具有至少一P型半导体晶粒,及至少一N型半导体晶粒,且该每一P型、N型半导体晶粒是极性相对应排置并同时电性连结该二基板,当施加一预定电流时,该热交换装置的每一P型、N型半导体晶粒会开始运作,使该二基板彼此产生一温度差,其特征在于:    该基板分别是一经过阳极氧化处理的预定材料板片,包含一具有高热传导性的金属层,及一自该金属层向该热交换装置形成的用以绝缘的金属氧化层,该金属层呈一金属晶格结构使水分子无法通过进入该热交换装置内。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种致冷晶片及其制造方法,特别是涉及一种可防止湿气渗透且高热传导的致冷晶片及其制造方法。(2)
技术介绍
致冷晶片(thermoelectric cooler,一称致冷器或热泵)自从1821年由德国科学家首先发现后,由于其具有致冷或致热速度快、体积小、不使用冷煤无环保问题、温度控制准确度高等优点,已逐步取代传统例如散热组件等传统散热或加温装置,而广泛应用于电脑中央运算处理器、激光发光头、航太工业、医疗器材等等,需要高效率、高精确度温度转换,且使用体积受限的电器产品中。如图1所示,现有的致冷晶片1是包含二相间隔的基板11、二分别附着于该二基板11之一内表面的电路层12,及一包含多个P型半导体晶粒131及N型半导体晶粒132的热交换装置13,该热交换装置13的每一P型、N型半导体晶粒131、132是极性相对应排置,并同时电性连结于二基板上的电路层12,当施加一预定电流时,该热交换装置13的每一P型、N型半导体晶粒131、132开始产生珀尔帖效应,使二基板11彼此产生一温度差,而可视需求应用于上述需要散热或加温的产品上。以上述作动时需要降温的电脑中央运算处理器为例,是将温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,包含二彼此相间隔的基板,及一封装于该二基板间并同时与该二基板电性连结的热交换装置,该基板可外加一电流,该热交换装置具有至少一P型半导体晶粒,及至少一N型半导体晶粒,且该每一P型、N型半导体晶粒是极性相对应排置并同时电性连结该二基板,当施加一预定电流时,该热交换装置的每一P型、N型半导体晶粒会开始运作,使该二基板彼此产生一温度差,其特征在于该基板分别是一经过阳极氧化处理的预定材料板片,包含一具有高热传导性的金属层,及一自该金属层向该热交换装置形成的用以绝缘的金属氧化层,该金属层呈一金属晶格结构使水分子无法通过进入该热交换装置内。2.如权利要求1所述的高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,其特征在于该基板分别是一经过阳极氧化处理的预定材料板片,包含一具有高热传导性的金属层,及二分别自该金属层相反两面形成的金属氧化层,该每一金属氧化层具有绝缘效果。3.如权利要求1或2所述的高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,其特征在于该基板是一铝板、镁板、铝合金板,及/或镁合金板。4.如权利要求1或2所述的高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,其特征在于该每一基板还分别包含一形成于该金属氧化层上的电路层,该电路层具有预定电路态样且与该每一P型、N型半导体晶粒极性相对应排置并同时电性连结,当施加一预定电流时,该热交换装置的P型、N型半导体晶粒开始运作,使该二基板彼此产生一温度差。5.如权利要求1所述的高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,其特征在于该一基板还包含一可与一接触板相连结的连结装置,以将该基板与该接触板相贴靠地连结成一体,而使该基板与该接触板产生热交换,使该接触板温度改变。6.如权利要求5所述的高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片,其特征在于该一基板还包含一可与一接触板相连结的连结装置,该连结装置包含至少一具有一螺孔的连结凸耳,及至少一可与该螺孔相配合的锁固螺丝,该锁固螺丝可螺设过该螺孔将该基板与该接触板相贴靠地连结成一体,而使该基板与该接触板产生热交换,使该接触板温度改变。7.一种高热传导且可隔绝湿气渗透的致冷晶片的制造方法,其特征在于该制造方法包含(a)将二预定材料板片进行阳极氧化处理成二基板,使该每一基板具有一具有高热传导性的金属层,及一金属氧化层,该金属层呈一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜婉瑜黄垂恭陈美华
申请(专利权)人:环宇真空科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利