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本发明涉及一种电子装置制造方法，其步骤包括将一基层上的一金属膜经选择性非多孔阳极氧化，以于金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层，并将金属膜及密实非多孔氧化层经选择性多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧...
该专利属于环宇真空科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环宇真空科技股份有限公司授权不得商用。

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