绝缘体上缓和SiGe层的制备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于在绝缘体（７４）的缓和ＳｉＧｅ（ＳＧＯＩ）上形成应变Ｓｉ或应变ＳｉＧｅ的方法，在半导体衬底上生长缓变Ｓｉ＃－［１－ｘ］Ｇｅ＃－［ｘ］层（２０）和外延Ｓｉ＃－［１－ｙ］Ｇｅ＃－［ｙ］层，在所述Ｓｉ＃－［１－ｙ］Ｇｅ＃－［ｙ］层（３０）中注入氢（７０），以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过ＣＭＰ对分离的衬底的上表面（７５）进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在绝缘体上制备SiGe层的方法，以提供用于制造例如互补金属-氧化物-半导体(CMOS)晶体管、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和双极型晶体管的高速器件的结构。
技术介绍
在应变Si/SiGe沟道中的电子迁移率明显高于体硅中的。例如，室温下在应变Si中的电子迁移率的测量值大约为3000cm2/Vs，而在体硅中为400cm2/Vs。同样地，在高Ge浓度(60％～80％)的应变SiGe中空穴迁移率达到800cm2/Vs，该值大约是在体硅中的空穴迁移率150cm2/Vs的5倍。希望在现有技术的Si器件中采用应变晶体材料，以实现更高性能，特别是更高的操作速度。当常规的Si器件不断按比例缩小到0.1mm范围并开始接近非应变材料的固有极限时，应变Si/SiGe具有特别的重要性。但是，用于MODFET和双极型晶体管的基础导电衬底或基础衬底与CMOS中的有源器件区的相互作用是不希望有的特性，它们限制了高速器件的全部性能。在Si技术中，为解决该问题，在产生绝缘体上硅(SOI)材料以代替用于制造器件的体硅材料之前，通常用绝缘层隔离有源器件区和衬底。获得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备绝缘体上的缓和ＳｉＧｅ层的方法，包括以下步骤：在第一单晶半导体衬底上形成缓变Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］外延层，在缓变Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层上形成缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］外延层，通过氢轰击在缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层中形成富氢缺陷层，在缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层的表面上提供绝缘层，在富氢缺陷层处分离缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层，以形成包含第一衬底、缓变Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层和缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层的第一结构以及包含其表面上具有缓和Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层的绝缘层的第二结构。

【技术特征摘要】
US 2000-9-29 09/675,8401.一种制备绝缘体上的缓和SiGe层的方法，包括以下步骤在第一单晶半导体衬底上形成缓变Si1-xGex外延层，在缓变Si1-xGex层上形成缓和Si1-yGey外延层，通过氢轰击在缓和Si1-yGey层中形成富氢缺陷层，在缓和Si1-yGey层的表面上提供绝缘层，在富氢缺陷层处分离缓和Si1-yGey层，以形成包含第一衬底、缓变Si1-xGex层和缓和Si1-yGey层的第一结构以及包含其表面上具有缓和Si1-yGey层的绝缘层的第二结构。2.根据权利要求1的方法，其中在缓和Si1-y...

【专利技术属性】
技术研发人员：D卡纳佩里，JO舒，C德米科，黄丽娟，JA奥特，HSP翁，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]