温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种用于在绝缘体（７４）的缓和ＳｉＧｅ（ＳＧＯＩ）上形成应变Ｓｉ或应变ＳｉＧｅ的方法，在半导体衬底上生长缓变Ｓｉ＃－［１－ｘ］Ｇｅ＃－［ｘ］层（２０）和外延Ｓｉ＃－［１－ｙ］Ｇｅ＃－［ｙ］层，在所述Ｓｉ＃－［１－ｙ］Ｇｅ＃－［ｙ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。