【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
迄今，例如在进行半导体器件这类的微细加工时，作为构制图形的掩模使用了光致抗蚀剂。然后，为了将掩模整形为规定的形状，光致抗蚀剂也被构制成图形。在对光致抗蚀剂构制图形时，为防止成为光致抗蚀剂之基底，即成为图形构制对象的基底层与光致抗蚀剂的界面处的反射，往往在光致抗蚀剂与基底层之间插入抗反射膜。这样的技术例如在专利文献1、专利文献2、专利文献3中作了介绍。特开平7-37799号公报[专利文献2]特开平10-270329号公报[专利文献3]特开2002-214793号公报但是，为了降低现有抗反射膜的反射系数的绝对值，对抗反射膜的各参数的范围进行了选择。从而，没有提出使构制图形后留下的光致抗蚀剂的形状为适当的选择各参数的方法。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述事宜，提供了使构制图形后留下的光致抗蚀剂的形状为适当的。本专利技术是包括(a)在基底层上形成抗反射膜的工序；以及(b)在上述抗反射膜上形成成为图形构制对象的正型光致抗蚀剂的工序的。而且，还包括涉及经上述光致抗蚀剂入射的曝光用的光在上述抗反射膜与上述光致抗蚀剂的界面上的反射系数的，(i)设定使...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括(a)在基底层上形成抗反射膜的工序；以及(b)在上述抗反射膜上形成成为图形构制对象的正型光致抗蚀剂的工序，还包括关于经上述光致抗蚀剂入射的曝光用的光在上述抗反射膜与上述光致抗蚀剂的界面上的反射系数的(i)设定使上述反射系数的绝对值在第1值以下的上述抗反射膜和上述基底层的至少某一方的各参数的范围的工序；以及(ii)在由上述工序(i)设定的范围内，设定使上述反射系数的相位的绝对值在第2值以上的上述各参数的范围的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于当上述抗反射膜的膜厚在规定厚度以下时，在工序(i)、(ii)中设定上述基底层的层厚范围。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于将上述抗反射膜的复折射率表示为α-βi(α，β为实数，i为虚数单位)时，在上述工序(ii)中，随着上述抗反射膜的膜厚减薄而将上述β设定得较大。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于当上述基底层为多晶硅、硅化物、金属中的某一种时，(iii)在由上述工...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。