使用臭氧的化学-机械平面化方法技术

本发明专利技术涉及在化学机械平面化中，作为反应物的臭氧（Ｏ↓［３］）的用途，其以水溶液或气体形式直接作用于待平面化的表面。含臭氧的水溶液选择性地含有研磨颗粒和／或与臭氧共溶的其它ＣＭＰ试剂，包括碳酸盐和碳酸氢盐阴离子，以及有机酸，例如甲酸、草酸、乙酸和乙二醇酸。可以加入的研磨剂包括氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、尖晶石和氧化锆。水溶液中的常规臭氧浓度在约每百万分之１份（“ｐｐｍ”）－饱和的范围内。铵盐，特别是碳酸铵与含臭氧水溶液结合使用有助于平面化。根据本发明专利技术，使用臭氧反应物可以将有机和无机低ｋ介电材料，以及难以氧化的金属平面化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利技术
技术介绍
领域本专利技术涉及在集成电路的制造中用于将表面化学机械平面化的组合物和方法，以及更具体地涉及臭氧在化学机械平面化(planarization)中作为氧化剂的用途。相关技术的描述化学机械平面化(CMP)是一种用于在集成电路的生产过程中从晶片表面除去各种物质，因此制造出基本上平的表面以促进精确构图以及后续层沉积的方法。常规的CMP方法使用抛光垫(polishing pad)与待平面化的晶片旋转接触，同时在晶片和抛光垫之间引入合适的CMP试剂，以促进物质除去和平面化。CMP试剂通常包括研磨淤浆，所述研磨淤浆除其它组分之外，含有研磨颗粒和各种氧化剂。用于CMP的研磨颗粒包括氧化铝、二氧化硅、尖晶石、二氧化铈和氧化锆等。CMP方法的应用范围已经扩展到覆盖大量物质，包括金属。这种应用的扩展引发了对于能够使金属的CMP方法更加有效的新氧化剂的持续研究。从这种持续研究中获得了诸如过氧化氢、铁氰化钾、高碘酸、羟胺及其盐的氧化剂，和其它氧化剂，并且目前已经用于金属的CMP方法。但是，这些氧化剂具有若干缺点，包括，尤其是，产生了必须加以处理并且从CMP操作区域除去的废物流，诸如离子废物流。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械平面化的组合物，包括臭氧水溶液和研磨剂颗粒。

【技术特征摘要】
US 2001-2-13 09/783,0691.一种用于化学机械平面化的组合物，包括臭氧水溶液和研磨剂颗粒。2.权利要求1的组合物，其中所述研磨剂颗粒选自氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、尖晶石、氧化锆及其混合物。3.权利要求1的组合物，还包括至少一种选自碳酸盐、碳酸氢盐、草酸、甲酸、乙酸、乙二醇酸及其混合物的添加剂。4.权利要求1的组合物，其中所述水溶液中臭氧的浓度小于臭氧发生相互作用的浓度。5.权利要求4的组合物，其中所述臭氧浓度是小于约百万分之20份。6.权利要求1的组合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJ斯莫尔，尚小蔚，
申请(专利权)人：EKC科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]