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一种半导体器件的制造方法，其特征在于：　　　　包括：　　　　（ａ）在基底层上形成抗反射膜的工序；以及　　　　（ｂ）在上述抗反射膜上形成成为图形构制对象的正型光致抗蚀剂的工序，　　　　还包括关于经上述光致抗蚀剂入射的曝光用的光在上述抗反射膜与...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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