【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种改良光刻系统及方法，更明确地说，本专利技术涉及一种使用反射折射曝光光学装置的光刻系统及方法，所述反射折射曝光光学装置投射高精度影像而没有影像翻转。
技术介绍
光刻法是用来产生形体特征于基板的表面上的程序，这样的基板能够包含扁平面板显示器、电路板、各种集成电路等等的制造上所使用的基板，该应用中所经常使用的基板为半导体晶片。在本专利技术是为了举例目的而以半导体晶片的观点来予以写成的同时，本领域的技术人员能够辨识出此叙述亦可应用到本领域的技术人员所已知的各种基板。在光刻期间，置于晶片台上的晶片由位于光刻装置内的曝光光学装置露出投射在晶片的表面上的影像，影像指的是所露出的原始影像或源影像，所投射的影像指的是真正接触晶片的表面的影像。在曝光光学装置被使用于光刻成像的情况中，可以使用不同类型的曝光装置，视特殊应用的情况而定。举例来说，如本领域的技术人员所已知的，X光光刻法或光子光刻法可能各自需要不同的曝光装置，在此为了举例说明而讨论光刻成像术的特别例。所投射的影像在晶片表面上所沉积的层(例如，光阻剂)的特性上产生改变，这些改变对应于在曝光期间投射于晶片上...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻装置，包括透射或反射影像的光罩台；晶片台；以及反射折射曝光光学装置组件，在所述光罩台与所述晶片台之间取向，按全等方式将所述影像投射于所述晶片台上。2.如权利要求1所述的光刻装置，其中，所述光罩台的取向实际正交于所述晶片台。3.如权利要求2所述的光刻装置，其中，所述反射折射曝光光学装置组件引起所述影像偶数数目的反射。4.如权利要求3所述的光刻装置，其中，所述所投射的影像实际上没有像差，包含下列任一情形透视弯曲；以及模糊区域。5.如权利要求3所述的光刻装置，还包括，曝光站；以及多个晶片台，所述晶片台的各个晶片台具有相关联的数据收集站，该数据收集站独立于与所述多个晶片台中的其它晶片台相关联的数据收集站。6.如权利要求5所述的光刻装置，其中，所述多个晶片台中的各个晶片台可以从所述相关联的数据收集站移动到所述曝光站。7.如权利要求5所述的光刻装置，其中，在操作期间，所述多个晶片台的各个晶片台交替地从所述相关联的数据收集站移动到所述曝光站，使得所述多个晶片台的第一个晶片台的数据收集能够发生在和所述多个晶片台的第二个晶片台正在所述曝光站经历曝光的同一时间。8.如权利要求3所述的光刻装置，还包括，第一数据收集照相机，配置在装置内的第一位置上；曝光装置，配置在装置内的第二位置上；第二数据收集照相机，配置在装置内的第三位置上；第一晶片台，可以从所述第一位置移动到所述第二位置；以及第二晶片台，可以从所述第三位置移动到所述第二位置。9.如权利要求8所述的光刻装置，还包括轨道，所述第一及第二晶片台可移动安装于所述轨道上。10.如权利要求3所述的光刻装置，还包括双隔离系统，其中，所述双隔离系统包含隔离底架，被非隔离工具结构所支撑；晶片台构件，被所述隔离底驾所支撑，所述晶片台构件提供对半导体晶片的接合的安装；光罩台构件，被所述隔离底架所支撑，所述光罩台构件提供对光罩的安装；隔离桥，提供对所述反射折射曝光光学装置组件的安装，所述隔离桥被所述隔离底架所支撑。11.一种光刻方法，包括步骤提供光罩台，用以透射或反射影像；提供晶片台，用以接收影像；...
【专利技术属性】
技术研发人员：哈利·塞维尔，乔治·S·伊瓦尔蒂，约翰·莎马里，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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